半导体发光元件、发光装置制造方法技术资料下载

技术编号:7262212

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本发明的课题是在使用III族氮化物半导体输出呈绿色的波长的光的半导体发光元件中使发光输出功率提高。一种半导体发光元件(1),具有含有n型杂质(Si)的n型覆盖层(142);层叠在n型覆盖层(142)上的发光层(150);和含有p型杂质且层叠在发光层(150)上的p型覆盖层(161)。发光层(150)具有多量子阱结构,所述多量子阱结构具备第1势垒层(1511)~第5势垒层(1515)和第1阱层(1521)~第4阱层(1524),且由两个势垒层夹持一个阱层。在...
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