技术编号:7262736
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种CMOS结构的形成方法,在对第一区域的栅极结构两侧的半导体衬底内形成应力材料层后,先形成牺牲层,并平坦化牺牲层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层,使得第一硬掩膜层和第二硬掩膜层表面齐平且厚度相等,后续在去除所述第一硬掩膜层和第二硬掩膜层时,不会因为第一硬掩膜层和第二硬掩膜层具有高度差而需要过刻蚀,避免会在第一区域的MOS晶体管的偏移侧墙底部对应位置的半导体衬底内造成损伤,且不会使得第一栅极结构和第二栅极结构的顶部边缘的折角变为圆角。专利说明CMOS结构的形成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。