技术编号:7264082
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种形成半导体器件的方法,该方法包括在第一模块中对晶圆实施远程等离子体处理,以通过还原反应从晶圆中去除氧化物层。该方法还包括在真空下,将预处理后的晶圆从第一模块传送至第二模块。该方法还包括在第二模块中,在晶圆上方形成蚀刻停止层。本发明提供了一种金属氧化物还原的预处理方法及其所形成的器件。专利说明用于金属氧化物还原的预处理方法和所形成的器件 [0001] 本发明总体涉及半导体领域,更具体地,涉及金属氧化物还原的预处理方法及其 形成的器件。 ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。