技术编号:7264155
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实施方式的半导体装置包括将半导体基板分离为多个第1元件区域的第1元件分离区域以及隧道绝缘膜、电荷积聚层、电极间绝缘膜和控制栅极电极被顺序层叠在上述第1元件区域之上的多个存储单元。在周边电路区域中包括将上述半导体基板分离为多个第2元件区域的第2元件分离区域以及栅极绝缘膜、栅极电极被顺序层叠在上述第2元件区域之上的周边晶体管。上述第1元件分离区域具有埋入第1元件分离沟的底部的第1元件分离绝缘膜和在上述第1元件分离绝缘膜与上述电极间绝缘膜之间形成的空隙,上述第...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。