技术编号:7264542
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,先在所述半导体衬底上形成N型功函数金属层,然后在所述NMOS区上形成第二图案化掩膜层,以所述第二图案化掩膜层为掩膜刻蚀所述PMOS区上的N型功函数金属层,随后在所述半导体衬底上形成栅极金属层,避免N型功函数金属层扩散到P型功函数金属层中影响其功函数值,从而防止PMOS的阈值电压Vt变高,因此提高了半导体器件的可靠性。专利说明 [0001]本发明涉及,具体来说,涉及使用HKMG的。 背景技术 [0002]随着半导体器件的尺寸变得越来...
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