技术编号:7265220
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。低压静电保护环,包括第一物理层、第二物理层、连接第一物理层和第二物理层之间的多个孔,其特征在于,在静电保护环拐角处的尖角区域不具备孔。采用本发明所述低压静电保护环,在拐角处减少了孔的数量,使电场线在拐角处被削弱,增强了拐角处的耐压,提高了整个芯片的抗静电等级。专利说明低压静电保护环 [0001 ] 本发明属于半导体制造领域,涉及低压静电保护环。 背景技术 [0002]不同物质的接触、分离或相互摩擦,即可产生静电。例如在生产过程中的挤压、切害!]、...
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