技术编号:7265504
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种更进一步,其方法为在衬底利用溅射沉积薄膜工艺形成金属氧化物薄膜/衬底基片,再形成铁电薄膜/金属氧化物薄膜/衬底基片,然后,在铁电薄膜上再沉积一层CFO,最后,在CFO上再沉积顶上电极。本发明在采用导电氧化物的基础上,再加镀一层CFO薄膜,使铁电电容的疲劳特性得到更进一步明显的提高。所需CFO镀层成本低,操作简单,性能稳定。本发明将大大改善铁电存储器的疲劳特性,扫除产品化的最大障碍,其具有成本低廉,可靠性高,寿命长等优点。专利说明[0001]...
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