技术编号:7265508
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括提供半导体衬底;在所述半导体衬底表面形成介质层、位于介质层表面的阻挡层以及位于阻挡层表面的牺牲膜;依次刻蚀所述牺牲膜、阻挡层和介质层,在半导体衬底表面形成替代栅极结构,所述替代栅极结构包括位于半导体衬底表面的栅介质层、位于栅介质层表面的刻蚀阻挡层和位于刻蚀阻挡层表面的牺牲层;对所述刻蚀阻挡层进行氮化处理。本发明降低了半导体器件的等效栅氧化层厚度,优化了半导体器件的电学性能,提高半导体器件的可靠性。专利说明 [0001]本发明涉及半导体制作领...
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