技术编号：7265854
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出一种监测寄生电容的结构，在监测寄生电容的结构中在所述介质层上形成半导体器件，所述半导体器件包括栅介质层、栅极、侧墙以及内连线，所述侧墙隔离所述栅极和内连线，由于所述半导体器件形成于所述介质层上，从而能够准确的监测出所述栅极和内连线之间的寄生电容，进而能够避免寄生电容过大影响半导体器件的性能。专利说明监测寄生电容的结构 [0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种监测寄生电容的结构。 背景技术 [0002]在半导体器件制造的过程中，...
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