技术编号:7265893
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了半导体制造中的多晶硅表面处理方法及系统。本发明首先在所述多晶硅的表面向所述多晶硅内部生成设定厚度的氧化层;然后执行去氧化层操作,使得多晶硅达到预设厚度。本发明在电子产品上对多晶硅进一步处理,可以根据需要制造出各种尺寸的多晶硅,极大地提高了电子产品的制造工艺水平,为制造更高集成度的电子芯片提供了可能。专利说明多晶枯表面处理方法及系统 [0001] 本发明涉及半导体制造,特别涉及多晶娃表面处理方法及系统。 背景技术 [0002] 随着现代...
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