多晶硅表面处理方法及系统的制作方法
【专利摘要】本发明公开了半导体制造【技术领域】中的多晶硅表面处理方法及系统。本发明首先在所述多晶硅的表面向所述多晶硅内部生成设定厚度的氧化层；然后执行去氧化层操作，使得多晶硅达到预设厚度。本发明在电子产品上对多晶硅进一步处理，可以根据需要制造出各种尺寸的多晶硅，极大地提高了电子产品的制造工艺水平，为制造更高集成度的电子芯片提供了可能。
【专利说明】多晶枯表面处理方法及系统
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制造【技术领域】，特别涉及多晶娃表面处理方法及系统。
【背景技术】
[0002] 随着现代制造水平的提高，电子器件的芯片的尺寸越来越小，功耗越来越低。为了 进一步提高芯片的集成度，在金属氧化物半导体（CMOS)工艺中，需要更小的多晶娃尺寸。
[0003] 通常我们说的芯片尺寸，其实指的就是芯片中栅极多晶娃的线宽。而想要制造更 小尺寸的栅极多晶娃的线宽，通常只能依靠更加先进的曝光机台。比如G线的曝光机最小 的尺寸可W做到0. 8微米，而I线的曝光机最小的尺寸可W做到0. 4微米。
[0004] 传统的定义方法一般有W下几步：
[0005] 第一步，生长栅氧化层；第二步，沉积多晶娃；第H步，多晶娃低阻化；第四步，旋 涂光阻，利用曝光机曝光，然后通过显影的方式把曝光区域的光阻洗掉，只留下没有曝光的 区域。多晶娃的尺寸在该里就已经确定下来；第五步，干法刻蚀，把曝光区域的多晶娃刻蚀 掉，没有曝光区域，因为有光阻保护，多晶娃留下来；第六步，去除多晶娃上的光阻；
[0006] 经过上述六个步骤，多晶娃线条便制作出来了。
[0007] 现有的I线曝光机的极限尺寸能做到0. 4微米，但是，一些特殊的场合需要的多晶 娃尺寸往往超过了曝光机的极限能力。若还用现有的曝光机生产，则会导致产品不达标或 不合格率高。
【发明内容】
[0008] 本发明提供了多晶娃表面处理方法及系统，W解决现有电子芯片制造工艺中对多 晶娃的制造精度不高等问题。
[0009] 为了解决上述技术问题，本发明提供了一种多晶娃表面处理方法，应用于利用多 晶娃的进行产品生产的工艺，所述多晶娃表面处理方法包括W下步骤：
[0010] 在所述多晶娃的表面向所述多晶娃内部生成设定厚度的氧化层；
[0011] 执行去氧化层操作，使得多晶娃达到预设厚度。
[0012] 进一步地，所述在所述多晶娃的表面向所述多晶娃内部生成设定厚度的氧化层具 体为：
[0013] 在距离所述多晶娃为设定位置处设置氧化控制片；
[0014] 对所述多晶娃和氧化控制片进行氧化操作；
[0015] 当通过检测所述氧化控制片的氧化层的厚度得知所述多晶娃的氧化层的厚度达 到设定值时，停止氧化操作。
[0016] 进一步地，所述氧化控制片为本征态材料。
[0017] 进一步地，所述本征态材料为单晶娃。
[0018] 进一步地，所述氧化层通过干法氧化生成。
[0019] 进一步地，所述执行去氧化层操作，使得多晶娃达到预设厚度具体为：
[0020] 将包括设定厚度的氧化层的所述多晶娃置于漂洗设备中；
[0021] 在所述漂洗设备中放入漂洗液，漂洗所述多晶娃至预设厚度。
[0022] 进一步地，所述漂洗液为氨氣酸溶液，所述氨氣酸溶液的浓度为100 ;1，对所述氧 化层的蚀刻速率是0. 7-1. 3埃/砂。
[0023] 本发明还提供了一种多晶娃表面处理系统，应用于利用多晶娃的进行产品生产的 工艺，所述多晶娃表面处理装置包括：
[0024] 氧化层生成单元，用于在所述多晶娃的表面向所述多晶娃内部生成设定厚度的氧 化层；
[0025] 去氧化层单元，用于执行去氧化层操作，使得多晶娃达到预设厚度。
[0026] 进一步地，所述氧化层生成单元包括：
[0027] 控制片设置单元，用于在距离所述多晶娃为设定位置处设置氧化控制片；
[0028] 氧化单元，用于对所述多晶娃和氧化控制片进行氧化操作；
[0029] 氧化层控制单元，用于当通过检测所述氧化控制片的氧化层的厚度得知所述多晶 娃的氧化层的厚度达到设定值时，停止氧化操作。
[0030] 进一步地，所述去氧化层单元包括：
[0031] 移位单元，用于将包括设定厚度的氧化层的所述多晶娃置于漂洗设备中；
[0032] 漂洗单元，用于在所述漂洗设备中放入漂洗液，漂洗所述多晶娃至预设厚度。
[0033] 和现有技术相比，本发明的技术方案的有益效果如下：
[0034] 1.本发明在电子产品上先对多晶娃进行氧化，形成一定厚度的多晶娃氧化层，然 后对多晶娃氧化层进行去氧化层操作，使得多晶娃的尺寸能够进一步减小，极大地提高了 工艺水平，为制造更高集成度的电子芯片提供了可能；
[00巧]2.在现有工艺的基础上增加了氧化工艺和去氧化工艺，操作过程简单，几乎不需 要额外的材料成本；
[0036] 3.增加的氧化工艺和去氧化工艺对设备要求低，无需购买专业设备，节约了制造 成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0037] 图1表示本发明多晶娃表面处理方法的流程图；
[0038] 图2表示本发明多晶娃表面处理系统的组成框图；
[0039] 图3表示实施例3生长栅氧化层的效果图；
[0040] 图4表示实施例3沉积多晶娃的效果图；
[0041] 图5表示实施例3旋涂光阻的效果图；
[0042] 图6表不实施例3干法刻蚀的效果图
[0043] 图7表示实施例3去除多晶娃上的光阻的效果图
[0044] 图8表示实施例3生成多晶娃氧化层的效果图；
[0045] 图9表示实施例3漂洗多晶娃氧化层后的效果图。
【具体实施方式】
[0046] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0047] 为了解决现有电子芯片制造工艺中对多晶娃的制造精度不高等问题，本发明提供 了多晶娃表面处理方法及系统。
[004引 实施例1
[0049] 一种多晶娃表面处理方法，该方法应用于电子器件及芯片的制造领域，如晶体管、 发光二极管、印制电路板等。更确切地说，是应用于利用多晶娃的进行产品生产的工艺，所 述多晶娃表面处理方法包括W下步骤：
[0050] S1 ;在所述多晶娃的表面向所述多晶娃内部生成设定厚度的氧化层；
[0051] S2 ;执行去氧化层操作，使得多晶娃达到预设厚度。
[0052] 本发明在电子产品上先对多晶娃进行氧化，形成一定厚度的多晶娃氧化层，然后 对多晶娃氧化层进行去氧化层操作，使得多晶娃的尺寸能够进一步减小，极大地提高了工 艺水平，为制造更高集成度的电子芯片提供了可能。
[0053] 本发明方法是在现有工艺的基础上增加了氧化工艺和去氧化工艺，操作过程简 单，几乎不需要额外的材料成本。并且，增加的氧化工艺和去氧化工艺对设备要求低，无需 购买专业设备，节约了制造成本。本发明方法的流程图如图1所示。
[0054] 为了实现本发明，先要完成现有工艺过程。然后对多晶娃进行氧化操作。氧化的 方法很多，如化学氧化法、电氧化法等。本发明通过干法氧化生成多晶娃的氧化层。然后， 通过上述步骤S1对多晶娃的表面进一步处理。步骤S1具体包括：
[00巧]S11 ;在距离所述多晶娃为设定位置处设置氧化控制片；
[0056] 由于氧化层的厚度很小，肉眼根本无法看到。且在多晶娃氧化的过程中，氧化层是 向多晶娃内部氧化，该就更加增加了对氧化层厚度检测的难度。因此，在对多晶娃进行氧化 操作前，首先需要在离多晶娃为适当距离的位置设置氧化控制片，通过对氧化控制片的氧 化层厚度的测量来对多晶娃的氧化层的厚度进行监控。
[0057] 氧化控制片离多晶娃的具体距离需要考虑氧化过程中的氧化环境，尽量使多晶娃 和氧化控制片能在完全一致的氧化环境下氧化。通常的做法是将多晶娃和氧化控制片尽量 靠近。
[0058] 为了提高氧化控制片氧化层的测量精度，通常选用和多晶娃性能相近的材料作为 氧化控制片。本发明的所述氧化控制片为本征态材料。所述本征态材料可选为单晶娃。
[0059] S12 ;对所述多晶娃和氧化控制片进行氧化操作；
[0060] 完成了氧化控制片和多晶娃的位置摆放及氧化控制片的选材后，开始对多晶娃和 氧化控制片实施氧化操作。氧化的方法很多，如化学氧化法、电氧化法等。同时，同一条件 下生成的多晶娃的氧化层的厚度还和多晶娃进行低阻化时采用的工艺有关。本发明通过干 法氧化生成多晶娃的氧化层。
[0061] 干法氧化是在高温的环境下，在炉管通入氧气，将氧化控制片置于该种环境，让氧 化控制片和氧气发生反应，生成氧化层的过程，W下是一些具体数据：
[0062] 温度900C，氧气流量10升/分钟，氧化时间168min，可W氧化出378埃的氧化层；
[0063] 温度950C，氧气流量10升/分钟，氧化时间76min，可W氧化出378埃的氧化层；
[0064] 温度lOOOC，氧气流量10升/分钟，氧化时间36min，可W氧化出378埃的氧化层； [006引温度1050C，氧气流量10升/分钟，氧化时间18min，可W氧化出378埃的氧化层。
[0066] S13;当通过检测所述氧化控制片的氧化层的厚度得知所述多晶娃的氧化层的厚 度达到设定值时，停止氧化操作。
[0067] 在知道多晶娃低阻化时采用的工艺、氧化控制片的材料及氧化环境等信息后，就 可得到氧化控制片和多晶娃在同一氧化环境下生成的氧化层的厚度比例。因此，通过氧化 控制片的氧化层的厚度可间接测量到多晶娃的氧化层的厚度。
[0068] 先检测未氧化前的多晶娃的尺寸，计算需要的多晶娃的尺寸和未氧化前的多晶娃 的尺寸的差值，再根据氧化控制片的材料及氧化环境等因素来确定需要氧化控制片生成的 氧化层的厚度。
[0069] 然后，将多晶娃和氧化控制片一同放入氧化环境下进行氧化。氧化过程持续一段 时间后，停止氧化过程，对氧化控制片的厚度进行检测，若氧化控制片的氧化层的厚度未达 到设定值，则说明此时的多晶娃也未生成设定厚度的氧化层，则重新将多晶娃和氧化控制 片置于氧化环境下继续氧化；若氧化控制片的氧化层的厚度正好达到设定值，则说明此时 的多晶娃也正好生成设定厚度的氧化层，则对多晶娃进行后续处理；若氧化控制片的氧化 层的厚度超过设定值，则说明此时的多晶娃也生成了超过设定厚度的氧化层，则在后续对 多晶娃的处理过程中需要对氧化层做相应处理。
[0070] 上述氧化操作得到了适当厚度的多晶娃氧化层，之后需要进行去氧化层操作。去 氧化层的方法很多，如喷砂、酸洗、化学抛光及电解抛光。其中，喷砂法在操作过程中容易出 现高温，使得其他部件收到影响；化学抛光法的工艺参数难W控制，不能对高精度的物体进 行去氧化层操作；电解抛光对结构复杂的器件，去氧化层的效果不好。酸洗法能够快速去除 氧化层，且不会产生其他元素的污染。因此，本发明采用酸洗法进行去氧化层操作，步骤S2 的去氧化层的操作具体包括：
[0071] S21 ;将包括设定厚度的氧化层的所述多晶娃置于漂洗设备中；
[0072] 从氧化环境中取出生成氧化层的多晶娃后，将多晶娃置于漂洗设备中，漂洗设备 的大小视包含多晶娃的广品的大小而定。
[0073] S22 ;在所述漂洗设备中放入漂洗液，漂洗所述多晶娃至预设厚度。
[0074] 针对包含多晶娃的电子产品的材质和需要漂洗掉多晶娃氧化层的厚度，需要选择 漂洗液。漂洗液要能够漂洗掉多晶娃的氧化层，且不对电子产品的其他部分造成伤害。确 定选用的漂洗液类型后，还要计算漂洗液的浓度，漂洗液的浓度很大程度上决定了去氧化 层后多晶娃尺寸的精度和表面平滑度，要视多晶娃的应用场合、产品精度要求及产品性能 要求而定。
[00巧]最后需要控制多晶娃放入漂洗液的时间，此时有两种可选方式；一，漂洗液在漂洗 过程中不更换、注入或排出，该种条件下，随着时间的推移，漂洗液的浓度在降低，时间上不 好控制；二，采用漂洗液冲洗电子产品的方法，该种情况下，多晶娃一直处于恒定浓度的漂 洗液中，漂洗氧化层的速度容易控制，精度较高。
[0076] 本发明的漂洗液可选用氨氣酸溶液，氨氣酸溶液的浓度可调配为100:1，该样，对 氧化层的蚀刻速率就是0. 7-1. 3埃/砂。
[0077] 实施例2
[007引本发明还提供了一种多晶娃表面处理系统，应用于利用多晶娃的进行产品生产的 工艺，如图2所示，所述多晶娃表面处理装置包括：
[0079] 氧化层生成单元10,用于在所述多晶娃的表面向所述多晶娃内部生成设定厚度的 氧化层；
[0080] 去氧化层单元20,用于执行去氧化层操作，使得多晶娃达到预设厚度。
[0081] 本发明在电子产品上先对多晶娃进行氧化，形成一定厚度的多晶娃氧化层，然后 对多晶娃氧化层进行去氧化层操作，使得多晶娃的尺寸能够进一步减小，极大地提高了工 艺水平，为制造更高集成度的电子芯片提供了可能。本发明方法是在现有工艺的基础上增 加了氧化工艺和去氧化工艺，操作过程简单，几乎不需要额外的材料成本。并且，增加的氧 化工艺和去氧化工艺对设备要求低，无需购买专业设备，节约了制造成本。
[0082] 其中，所述氧化层生成单元10包括：
[0083] 控制片设置单元11，用于在距离所述多晶娃为设定位置处设置氧化控制片；
[0084] 由于氧化层的厚度很小，肉眼根本无法看到。且在多晶娃氧化的过程中，氧化层是 向多晶娃内部氧化，该就更加增加了对氧化层厚度检测的难度。因此，在对多晶娃进行氧化 操作前，首先需要通过控制片设置单元11在离多晶娃为适当距离的位置设置氧化控制片， 并通过对氧化控制片的氧化层厚度的测量来对多晶娃的氧化层的厚度进行监控。
[0085] 氧化控制片离多晶娃的具体距离需要考虑氧化过程中的氧化环境，尽量使多晶娃 和氧化控制片能在完全一致的氧化环境下氧化。通常的做法是将多晶娃和氧化控制片尽量 靠近。为了提高氧化控制片氧化层的测量精度，通常选用和多晶娃性能相近的材料作为氧 化控制片。本发明的所述氧化控制片为本征态材料。所述本征态材料可选为单晶娃。
[0086] 控制片设置单元11具有垂直方向和水平方向的微调功能，能够使氧化控制片根 据需要设置在多晶娃的适当位置上。
[0087] 氧化单元12,用于对所述多晶娃和氧化控制片进行氧化操作；
[0088] 完成了氧化控制片和多晶娃的位置摆放及氧化控制片的选材后，开始通过氧化单 元12对多晶娃和氧化控制片实施氧化操作。氧化的方法很多，如化学氧化法、电氧化法等。 同时，同一条件下生成的多晶娃的氧化层的厚度还和多晶娃进行低阻化时采用的工艺有 关。
[0089] 氧化单元12为多晶娃和氧化控制片提供氧化环境，使得多晶娃和氧化控制片在 完全一致的环境中形成氧化层，对于控制多晶娃生成的氧化层的厚度至关重要。本发明通 过干法氧化生成多晶娃的氧化层。W下是通过氧化单元12就行氧化操作的一些具体数据：
[0090] 温度900C，氧气流量10升/分钟，氧化时间168min，可W氧化出378埃的氧化层；
[0091] 温度950C，氧气流量10升/分钟，氧化时间76min，可W氧化出378埃的氧化层；
[0092] 温度1000C，氧气流量10升/分钟，氧化时间36min，可W氧化出378埃的氧化层； [009引温度1050C，氧气流量10升/分钟，氧化时间18min，可W氧化出378埃的氧化层。
[0094] 氧化层控制单元13,用于当通过检测所述氧化控制片的氧化层的厚度得知所述多 晶娃的氧化层的厚度达到设定值时，停止氧化操作。
[0095] 在知道多晶娃低阻化是采用的工艺、氧化控制片的材料及氧化环境等信息后，就 可通过氧化单元12得到氧化控制片和多晶娃在同一氧化环境下生成的氧化层的厚度比 例。因此，通过氧化控制片的氧化层的厚度可间接测量到多晶娃的氧化层的厚度。
[0096] 先检测未氧化前的多晶娃的尺寸，计算需要的多晶娃的尺寸和未氧化前的多晶娃 的尺寸的差值，再根据氧化控制片的材料及氧化环境等因素来确定需要氧化控制片生成的 氧化层的厚度。
[0097] 然后，通过氧化单元12将多晶娃和氧化控制片一同放入氧化环境下进行氧化。氧 化过程持续一段时间后，停止氧化过程，通过氧化层控制单元13对氧化控制片的厚度进行 检测，若氧化控制片的氧化层的厚度未达到设定值，则说明此时的多晶娃也未生成设定厚 度的氧化层，则重新将多晶娃和氧化控制片置于氧化环境下继续氧化；若氧化控制片的氧 化层的厚度正好达到设定值，则说明此时的多晶娃也正好生成设定厚度的氧化层，则对多 晶娃进行后续处理；若氧化控制片的氧化层的厚度超过设定值，则说明此时的多晶娃也生 成了超过设定厚度的氧化层，则在后续对多晶娃的处理过程中需要对氧化层做相应处理。
[0098] 完成上述氧化操作后，需要通过去氧化层单元20去氧化层的操作，去氧化层单元 20具体包括：
[0099] 移位单元21，用于将包括设定厚度的氧化层的所述多晶娃置于漂洗设备中；
[0100] 从氧化环境中取出生成氧化层的多晶娃后，通过移位单元21将多晶娃置于漂洗 设备中，漂洗设备的大小视包含多晶娃的产品的大小而定。移位单元21可W为具有夹持功 能的夹持爪或其他能够固定并移动物体的器件。
[0101] 漂洗单元22，用于在所述漂洗设备中放入漂洗液，漂洗所述多晶娃至预设厚度。
[0102] 针对包含多晶娃的电子产品的材质和需要漂洗掉多晶娃氧化层的厚度，需要选择 漂洗液。漂洗液要能够漂洗掉多晶娃的氧化层，且不对电子产品的其他部分造成伤害。确 定选用的漂洗液类型后，还要计算漂洗液的浓度，漂洗液的浓度很大程度上决定了去氧化 层后多晶娃尺寸的精度和表面平滑度，要视多晶娃的应用场合、产品精度要求及产品性能 要求而定。
[0103] 最后需要控制多晶娃放入漂洗液的时间，此时有两种可选方式；一，漂洗液在漂洗 过程中不更换、注入或排出，该种条件下，随着时间的推移，漂洗液的浓度在降低，时间上不 好控制；二，采用漂洗液冲洗电子产品的方法，该种情况下，多晶娃一直处于恒定浓度的漂 洗液中，漂洗氧化层的速度容易控制，精度较高。
[0104] 本发明的漂洗液可选用氨氣酸溶液，氨氣酸溶液的浓度可调配为100 ;1，该样，对 氧化层的蚀刻速率就是0. 7-1. 3埃/砂。
[0105] 实施例3
[0106] W下通过一个实际场景对本发明进行说明。
[0107] 本发明方法可W制造出超过曝光机极限能力的多晶娃线宽。本发明利用了经过注 入的多晶娃的氧化速率要快于本征状态的娃的特性。利用该个原理，可W将多晶娃氧化，W 缩小多晶娃尺寸。
[010引涉及到本发明的主要工艺步骤如下，前述的六个步骤与现有方法一致：
[0109] 第一步，生长栅氧化层，包括衬底1和栅氧化层2 ;如图3所示。
[0110] 第二步，沉积多晶娃，将多晶娃3沉积在所述栅氧化层2的上方；如图4所示；
[0111] 第H步，多晶娃低阻化，常见的低阻化工艺有离子注入和炉管惨杂，只有低阻化的 多晶娃才能作为栅极；
[0112] 第四步，旋涂光阻，利用曝光机定义出多晶娃区域，在需要保留多晶娃的上方保留 光阻4,光阻4的尺寸要符合多晶娃3的尺寸要求。如图5所示；
[0113] 第五步，干法刻蚀，把不需要的多晶娃3刻蚀掉，只留下有光阻区域的多晶娃3,如 图6所示；
[0114] 第六步，去除多晶娃上的光阻4,去除光阻4后的效果图如图7所示；
[0115] W上步骤与现有方法一致，之后需要完成本发明的具体操作。
[0116] 第走步，生长多晶娃氧化层5。厚度依据需要而定。比如，设定的多晶娃线宽为0.4 微米，如果要得到0. 35微米的线宽，就需要在多晶娃两侧各氧化掉0. 025微米的娃，也就是 说要在多晶娃上生长0. 025微米/0. 44=0. 0568微米的氧化层。
[0117] 其中，0.44为多晶娃未氧化和多晶娃氧化后的厚度比。此处厚度单位为"埃"，"埃" 的英文符合为A。所W，将微米换算为埃后是568A的氧化层。
[0118] 而生长氧化层的工艺的厚度监控，不可能去测量该么细小线条上的氧化层厚度， 通常的做法是在生长氧化层的过程中，放一片氧化控制片，该个氧化控制片接近于本征的 娃，通过测量控片上氧化控制片上氧化层的厚度，来监控多晶娃氧化层5的厚度。
[0119] 根据经验，如果多晶娃的低阻化是通过炉管热扩散来实现，那么氧化控制片上的 氧化层厚度与多晶娃氧化层5厚度之比为1 ;1. 5。所W要想在多晶娃上生长568A的氧化 层，那么就需要在氧化控制片上生长378A的氧化层厚度。同时，由于有源区里还有栅氧的 保护，此步的氧化层在有源区上生长的氧化层厚度要远远少于氧化控制片的氧化层厚度。 另一方面，多晶娃厚度的减少量(本例中是_250屋）相比于多晶娃2000A~4000A的厚度， 是几乎可W忽略的，而其也不影响器件参数。如图8所示；
[0120] 第八步，用氨氣酸溶液漂洗掉部分多晶娃氧化层；
[0121] 虽然氧化操作是按照多晶娃设定的尺寸要求进行的，但实际中生成的多晶娃氧化 层5的厚度还是会有一些偏差，所W，漂洗过程分为两类：
[0122] 一，完全漂洗，当生成的多晶娃氧化层正好符合要求或多晶娃氧化层的厚度在允 许的误差范围内时，可W将生成的多晶娃氧化层完全漂洗掉，如图9所示。
[0123] 二，部分漂洗，当生成的多晶娃氧化层的厚度超过设定值很多，超出了误差允许范 围时，会影响后续的源漏注入。为了满足工艺要求，就需要保留部分多晶娃氧化层，W使得 剩下的多晶娃氧化层和多晶娃一起符合工艺要求。
[0124] 在部分漂洗过程中，还要考虑多晶娃氧化层不能对电子产品的电器性能造成影 响，具体为，多晶娃氧化层的厚度视电子产品的性能要求及尺寸要求而定。
[0125] W上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人 员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可W做出若干改进和替换，该些改进和替换 也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1. 一种多晶娃表面处理方法，应用于利用多晶娃的进行产品生产的工艺，其特征在于， 所述多晶娃表面处理方法包括W下步骤： 在所述多晶娃的表面向所述多晶娃内部生成设定厚度的氧化层； 执行去氧化层操作，使得多晶娃达到预设厚度。
2. 如权利要求1所述的多晶娃表面处理方法，其特征在于，所述在所述多晶娃的表面 向所述多晶娃内部生成设定厚度的氧化层具体为： 在距离所述多晶娃为设定位置处设置氧化控制片； 对所述多晶娃和氧化控制片进行氧化操作； 当通过检测所述氧化控制片的氧化层的厚度得知所述多晶娃的氧化层的厚度达到设 定值时，停止氧化操作。
3. 如权利要求2所述的多晶娃表面处理方法，其特征在于，所述氧化控制片为本征态 材料。
4. 如权利要求3所述的多晶娃表面处理方法，其特征在于，所述本征态材料为单晶娃。
5. 如权利要求1所述的多晶娃表面处理方法，其特征在于，所述氧化层通过干法氧化 生成。
6. 如权利要求1所述的多晶娃表面处理方法，其特征在于，所述执行去氧化层操作，使 得多晶娃达到预设厚度具体为： 将包括设定厚度的氧化层的所述多晶娃置于漂洗设备中； 在所述漂洗设备中放入漂洗液，漂洗所述多晶娃至预设厚度。
7. 如权利要求6所述的多晶娃表面处理方法，其特征在于，所述漂洗液为氨氣酸溶液， 所述氨氣酸溶液的浓度为100:1，对所述氧化层的蚀刻速率是0. 7-1. 3埃/砂。
8. -种多晶娃表面处理系统，应用于利用多晶娃的进行产品生产的工艺， 其特征在于，所述多晶娃表面处理装置包括： 氧化层生成单元，用于在所述多晶娃的表面向所述多晶娃内部生成设定厚度的氧化 层； 去氧化层单元，用于执行去氧化层操作，使得多晶娃达到预设厚度。
9. 如权利要求8所述的多晶娃表面处理系统，其特征在于，所述氧化成生层单元包括： 控制片设置单元，用于在距离所述多晶娃为设定位置处设置氧化控制片； 氧化单元，用于对所述多晶娃和氧化控制片进行氧化操作； 氧化层控制单元，用于当通过检测所述氧化控制片的氧化层的厚度得知所述多晶娃的 氧化层的厚度达到设定值时，停止氧化操作。
10. 如权利要求8所述的多晶娃表面处理系统，其特征在于，所述去氧化层单元包括： 移位单元，用于将包括设定厚度的氧化层的所述多晶娃置于漂洗设备中； 漂洗单元，用于在所述漂洗设备中放入漂洗液，漂洗所述多晶娃至预设厚度。
【文档编号】H01L21/321GK104465347SQ201310439014
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2013年9月24日 优先权日:2013年9月24日
【发明者】闻正锋, 乐双申, 马万里, 赵文魁 申请人:北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司