技术编号：7265933
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，在曝光显影形成具有开口的光刻胶层后，在所述光刻胶层的开口侧壁形成侧墙。后续以所述光刻胶层为掩膜对硬掩膜薄膜进行刻蚀时，由于光刻胶层的开口侧壁具有侧墙，刻蚀气体不会刻蚀靠近开口位置的光刻胶层，使得所述光刻胶层开口的尺寸不会受到器件密度不均的影响而发生变化，且光刻胶层开口的侧壁形貌不会发生变化，使得最终形成的刻蚀图形侧壁形貌良好。专利说明 [0001]本发明涉及半导体制作工艺，特别涉及一种。 背景技术 [0002]在半导体器件的制造过程中，利用...
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