半导体结构的形成方法
【专利摘要】一种半导体结构的形成方法，在曝光显影形成具有开口的光刻胶层后，在所述光刻胶层的开口侧壁形成侧墙。后续以所述光刻胶层为掩膜对硬掩膜薄膜进行刻蚀时，由于光刻胶层的开口侧壁具有侧墙，刻蚀气体不会刻蚀靠近开口位置的光刻胶层，使得所述光刻胶层开口的尺寸不会受到器件密度不均的影响而发生变化，且光刻胶层开口的侧壁形貌不会发生变化，使得最终形成的刻蚀图形侧壁形貌良好。
【专利说明】半导体结构的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制作工艺，特别涉及一种半导体结构的形成方法。
【背景技术】
[0002]在半导体器件的制造过程中，利用光刻胶曝光、显影形成图形化的光刻胶层，然后利用图形化的光刻胶层为掩膜对衬底或待刻蚀材料层进行刻蚀形成特定图案已成为本领域的惯用技术。
[0003]但是随着半导体工艺的不断发展，半导体器件的尺寸在不断缩小，用于形成图案的光刻胶层的宽度也变得越来越小，且为了适应线宽越来越小的要求，光刻胶的厚度、硬度也不断降低，对光刻胶的线宽粗糙度的控制越来越难。在刻蚀时，由于受到刻蚀气体的影响，靠近开口位置的光刻胶会变得倾斜或光刻胶顶部的直角会变成圆角，会影响后续形成的刻蚀图形的侧壁形貌。且由于靠近开口位置的光刻胶会变得倾斜甚至部分去除，光刻胶的开口尺寸会变大，从而使得待刻蚀材料层的图形的尺寸大于光刻时对应的开口尺寸。同时，当芯片上不同位置的器件密度不相同时，以相同开口尺寸的光刻胶为掩膜刻蚀形成的刻蚀图形的尺寸也会不同，会严重影响了半导体器件的电学性能。
【发明内容】
[0004]本发明解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，能形成具有均匀尺寸的刻蚀图形，且刻蚀图形的侧壁形貌较佳。
[0005]为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括:提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上依次形成硬掩膜薄膜和光刻胶薄膜；对所述光刻胶薄膜进行曝光显影，形成具有开口的光刻胶层，所述光刻胶层暴露出部分硬掩膜薄膜；在所述光刻胶层表面和暴露出的硬掩膜薄膜表面形成侧墙薄膜；对所述侧墙薄膜进行回刻蚀，在所述光刻胶层的开口侧壁形成侧墙；以所述光刻胶层和侧墙为掩膜，对所述硬掩膜薄膜进行刻蚀，形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，对所述待刻蚀材料层进行刻蚀，在待刻蚀材料层内形成对应的刻蚀图形。
[0006]可选的，所述侧墙的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化钛或氮化钽。
[0007]可选的，形成所述侧墙薄膜的工艺为原子层沉积、物理气相沉积或化学气相沉积。
[0008]可选的，当所述侧墙的材料为氮化硅时，形成所述侧墙薄膜的具体工艺包括:反应气体包括NH3、SiCl4,流量为1sccm?lOOOsccm，反应腔室温度为200度?800度，反应腔室压强为3毫托?I托。
[0009]可选的，所述侧墙的厚度范围小于或等于50埃。
[0010]可选的，还包括:在所述待刻蚀材料层表面形成有机分布薄膜，在所述有机分布薄膜表面形成所述硬掩膜薄膜。
[0011]可选的，所述有机分布薄膜的厚度范围为1000埃?2000埃。
[0012]可选的，还包括:形成所述硬掩膜层后，以所述硬掩膜层为掩膜，对所述有机分布薄膜进行刻蚀直到暴露出所述待刻蚀材料层，形成有机分布层；以所述有机分布层为掩膜对待刻蚀材料层进行刻蚀，在待刻蚀材料层内形成对应的待刻蚀图形。
[0013]可选的，还包括:在所述硬掩膜薄膜表面形成底部抗反射薄膜，在所述底部抗反射薄膜表面形成光刻胶薄膜。
[0014]可选的，还包括:在光刻胶层的开口侧壁形成侧墙后，以所述光刻胶层和侧墙为掩膜，对所述底部抗反射薄膜和硬掩膜薄膜进行刻蚀，分别形成底部抗反射层和硬掩膜层。
[0015]可选的，所述硬掩膜薄膜为氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氮化钛层或氮化钽层其中的一层或几层堆叠结构。
[0016]可选的，所述硬掩膜薄膜的厚度范围为200埃?800埃。
[0017]可选的，对所述硬掩膜薄膜进行刻蚀的刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。
[0018]可选的，对所述有机分布薄膜进行刻蚀的刻蚀气体为氧化性刻蚀气体和卤族刻蚀气体的混合物或氧化性刻蚀气体。
[0019]可选的，所述氧化性刻蚀气体为氮气、氢气、氧气、一氧化碳、二氧化硫其中的一种或几种。
[0020]可选的，所述卤族刻蚀气体包括氯气、氟气、氟化氢、四氟化碳、八氟化四碳、六氟化硫其中的一种或几种。
[0021]可选的，去除所述有机分布薄膜的具体工艺包括:刻蚀气体为CF4、CHF3> Cl2, HBr,刻蚀气体的流量范围为1sccm?300sccm，射频功率为200瓦?1200瓦，反应腔压强为3毫托?200毫托，反应温度为10摄氏度?100摄氏度。
[0022]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0023]本发明在曝光显影形成具有开口的光刻胶层后，在所述光刻胶层的开口侧壁形成侧墙。后续以所述光刻胶层为掩膜对硬掩膜薄膜进行刻蚀时，由于光刻胶层的开口侧壁具有侧墙，刻蚀气体不会刻蚀靠近开口位置的光刻胶层，使得所述光刻胶层开口的尺寸不会受到器件密度不均的影响而发生变化，且光刻胶层开口的侧壁形貌不会发生变化，使得最终形成的刻蚀图形侧壁形貌良好。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]图1?图8是本发明实施例的半导体结构的形成过程的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0025]在现有技术中，利用现有的光刻胶作掩膜对待刻蚀材料层进行刻蚀时，由于受到刻蚀气体的影响，靠近开口位置的光刻胶会变得倾斜或剖面图形的直角会变成圆角，光刻胶的开口尺寸会变大。当芯片上不同位置的器件密度不相同时，以相同开口尺寸的光刻胶为掩膜刻蚀形成的沟槽的尺寸也会不同。经过研究发现，主要是由于受到刻蚀偏移负载效应(Etch Bias Loading Effect)的影响,在芯片的器件密度较大的位置,每一个光刻胶开口对应的刻蚀气体较少，开口位置被刻蚀掉的光刻胶较少，光刻胶开口尺寸的偏移量较少；而在芯片的器件密度较小的位置，每一个光刻胶开口对应的刻蚀气体较多，开口位置被刻蚀掉的光刻胶较多，光刻胶开口尺寸的偏移量较大，使得最终以相同开口尺寸的光刻胶为掩膜刻蚀形成的刻蚀图形的尺寸不相同，会严重影响了半导体器件的电学性能。
[0026]因此，本发明实施例提供了一种半导体结构的形成方法，在曝光显影形成具有开口的光刻胶层后，在所述光刻胶层的开口侧壁形成侧墙。后续以所述光刻胶层为掩膜对硬掩膜薄膜进行刻蚀时，由于光刻胶层的开口侧壁具有侧墙，刻蚀气体不会刻蚀靠近开口位置的光刻胶层，使得所述光刻胶层开口的尺寸不会受到器件密度不均的影响而发生变化，且光刻胶层开口的侧壁形貌不会发生变化，使得最终形成的刻蚀图形侧壁形貌良好。
[0027]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0028]本发明实施例首先提供了一种半导体结构的形成方法，请参考图1?图8，为本发明实施例的半导体结构的形成过程的剖面结构示意图。
[0029]请参考图1，提供基底100，在所述基底100表面形成待刻蚀材料薄膜110。
[0030]在本实施例中，所述基底100为半导体衬底，例如硅衬底、锗衬底、锗硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、绝缘体上硅衬底等。所述基底100还可以为玻璃衬底或蓝宝石衬底坐寸O
[0031 ] 在其他实施例中，所述基底还可以包括半导体衬底和位于半导体衬底表面的一层或多层介质材料层或金属层。
[0032]所述待刻蚀材料薄膜110的材料为多晶硅、层间介质层或金属层等，所述待刻蚀材料薄膜110形成在基底100的表面。在本实施例中，所述待刻蚀材料薄膜110的材料为多晶娃。
[0033]在其他实施例中，所述待刻蚀材料薄膜也可以为所述基底，后续以形成的有机分布层为掩膜，对所述基底进行刻蚀形成刻蚀图形。
[0034]请参考图2，在所述待刻蚀材料层110表面依次形成有机分布薄膜120、硬掩膜薄膜130和光刻胶薄膜140。
[0035]由于随着半导体器件尺寸的不断缩小，光刻胶薄膜的厚度、硬度也不断降低。但同时由于部分待刻蚀图形的深度较深，使得利用现有的光刻胶层作掩膜直接对待刻蚀材料层进行刻蚀时，在刻蚀工艺未完成时光刻胶层即被完全消耗完。为此，本发明利用在待刻蚀材料层110和光刻胶薄膜140之间形成硬掩膜薄膜130，由于所述硬掩膜薄膜130的厚度较小，利用现有的光刻胶层即能顺利地刻穿所述硬掩膜薄膜130。同时，由于所述硬掩膜薄膜130为氧化娃层、氮化娃层、氮氧化娃层、氮化钛层或氮化钽层其中的一层或几层堆叠结构，所述硬掩膜薄膜130与待刻蚀材料层110具有较高的刻蚀选择比，利用较薄的硬掩膜薄膜130也能顺利的作为刻蚀待刻蚀材料层110的掩膜层。
[0036]在本实施例中，先在所述待刻蚀材料层110表面形成有机分布薄膜120，再在所述有机分布薄膜120表面形成硬掩膜薄膜130。所述有机分布薄膜120可以为后续刻蚀硬掩膜薄膜130提供刻蚀停止层，避免在刻蚀硬掩膜薄膜130过刻蚀对待刻蚀材料层110造成影响；且由于所述有机分布薄膜120的材料为有机材料，后续对所述有机分布薄膜120进行刻蚀时，通常采用不含氟的刻蚀气体对有机分布薄膜120进行刻蚀，因此不会对待刻蚀材料层110和硬掩膜薄膜130造成影响，利用较薄的硬掩膜薄膜130也能顺利的作为厚度较大的有机分布薄膜120的掩膜层，同时，以刻蚀后形成的厚度较大的有机分布层作为掩膜，能顺利地刻蚀深度较深的刻蚀图案，例如硅通孔等，不需要考虑厚度较小的硬掩膜薄膜130、光刻胶薄膜140对刻蚀造成的不良影响。
[0037]在本实施例中，所述有机分布薄膜(Organic Distribut1n Layer, ODL) 120的形成工艺包括:将液态的有机分布胶涂布到待刻蚀材料层110表面，并利用旋转涂胶工艺在整个待刻蚀材料层110表面均匀分布所述液态的有机分布胶；将所述有机分布胶进行热固处理形成所述有机分布薄膜120。
[0038]在本实施例中，所述有机分布薄膜120的厚度范围为1000埃?2000埃，所述硬掩膜薄膜130的厚度范围为200埃?800埃，由于有机分布薄膜120的厚度大于硬掩膜薄膜130的厚度，因此后续以有机分布层为掩膜刻蚀待刻蚀材料层时能刻蚀形成深度更大的沟槽或通孔。在其他实施例中，所述有机分布薄膜和硬掩膜薄膜的厚度也可以为其他合适的值。
[0039]在其他实施例中，也可以不形成所述有机分布薄膜，直接在所述待刻蚀材料层表面形成硬掩膜薄膜，以所述刻蚀形成的硬掩膜层作为刻蚀待刻蚀材料层的掩膜层。
[0040]在本实施例中，在所述硬掩膜薄膜130表面直接形成光刻胶薄膜150。
[0041]在其他实施例中，还可以先在所述硬掩膜薄膜表面形成底部抗反射薄膜，再在所述底部抗反射薄膜表面形成光刻胶薄膜。所述底部抗反射薄膜为有机底部抗反射层、氮化硅层、氧化硅层或氮氧化硅层等，所述底部抗反射薄膜用于减少曝光过程中光在光刻胶层开口的底部表面的反射，从而有利于控制光刻胶的开口尺寸。
[0042]请参考图3，对所述光刻胶薄膜140(请参考图2)进行曝光显影，形成具有开口 141的光刻胶层145，所述光刻胶层145暴露出部分硬掩膜薄膜130。
[0043]所述开口 141的位置和尺寸对应于后续形成的刻蚀图形的位置和尺寸。
[0044]请参考图4，在所述光刻胶层145表面和暴露出的硬掩膜薄膜130表面形成侧墙薄膜 150。
[0045]所述侧墙薄膜150的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化钛或氮化钽等，形成所述侧墙薄膜150的工艺为原子层沉积、化学气相沉积或物理气相衬底等。所述侧墙薄膜150的厚度范围小于或等于50埃。
[0046]在本实施例中，所述侧墙薄膜150为单层结构，在其他实施例中，所述侧墙也可以为利用上述材料形成的多层堆叠结构。
[0047]在本实施例中，所述侧墙薄膜150的材料为氮化硅，形成所述侧墙薄膜的具体工艺包括:反应气体包括NH3、SiCl4,流量为1sccm?lOOOsccm，反应腔室温度为200度?800度，反应腔室压强为3毫托?I托。
[0048]请参考图5，对所述侧墙薄膜150 (请参考图4)进行回刻蚀，在所述光刻胶层145的开口 141侧壁形成侧墙155。
[0049]所述回刻蚀工艺为干法刻蚀工艺，由于位于开口 141侧壁的侧墙薄膜150不容易被干法刻蚀去除，因此在回刻蚀暴露出光刻胶层145的顶部表面和硬掩膜薄膜130表面后，开口 141侧壁剩下的侧墙薄膜成为侧墙155。
[0050]由于所述侧墙155的保护，靠近开口 141的光刻胶层145的光刻胶不容易被后续的刻蚀工艺去除，使得刻蚀完成后靠近开口 141的光刻胶层145的侧壁仍然垂直，有利于提高刻蚀图形的侧壁形貌。且由于靠近开口 141的光刻胶层145的光刻胶不容易被后续的刻蚀工艺去除，即不管是器件密度大的位置还是器件密度小的位置，光刻胶层开口 141的尺寸几乎不发生变化，有利于提高最终形成的半导体器件的电学性能的均一性。
[0051]请参考图6，以所述光刻胶层145和侧墙155为掩膜，对所述硬掩膜薄膜130 (请参考图5)进行刻蚀，形成硬掩膜层135。
[0052]在本实施例中，以所述光刻胶层145和侧墙155为掩膜，对所述硬掩膜薄膜130(请参考图5)进行干法刻蚀，直到暴露出有机分布薄膜120。在其他实施例中，当形成有底部抗反射薄膜时，以所述光刻胶层和侧墙为掩膜，依次对所述底部抗反射薄膜、硬掩膜薄膜进行刻蚀，分别形成底部抗反射层和硬掩膜层。
[0053]在本实施例中，所述干法刻蚀工艺对所述侧墙155的材料与所述光刻胶层145具有小于I的刻蚀选择比，使得刻蚀形成硬掩膜层135时，部分厚度的光刻胶层145和部分高度的侧墙155被刻蚀，且所述剩余的侧墙155的高度大于剩余的光刻胶层145的厚度，仍能有效的保护靠近开口 141的光刻胶层145避免被过刻蚀导致侧壁变倾斜，且最终形成的刻蚀图形的尺寸不会受到器件密度不均的影响。
[0054]在其他实施例中，所述干法刻蚀工艺对所述侧墙的材料与所述光刻胶层也可以具有大于或等于I的刻蚀选择比，使得刻蚀形成硬掩膜层时，部分厚度的光刻胶层和部分高度的侧墙被刻蚀，且所述剩余的侧墙的高度小于或等于剩余的光刻胶层的厚度，也能一定程度地保护靠近开口的光刻胶层避免被过刻蚀导致侧壁变倾斜，且最终形成的刻蚀图形的尺寸不容易受到器件密度不均的影响。
[0055]请参考图7，以所述硬掩膜层135为掩膜，对所述有机分布薄膜120 (请参考图6)进行刻蚀直到暴露出所述待刻蚀材料层110，形成有机分布层125。
[0056]在本实施例中，由于在刻蚀去除所述有机分布薄膜120时能同时去除剩余的光刻胶层145(请参考图6)，因此，不采用额外的工艺去除所述光刻胶层145，直接以所述硬掩膜层135为掩膜，对所述有机分布薄膜120进行刻蚀。
[0057]由于所述有机分布薄膜120为有机物，对所述有机分布薄膜120进行刻蚀的气体为氧化性刻蚀气体和齒族刻蚀气体的混合物或氧化性刻蚀气体。
[0058]所述氧化性刻蚀气体为氮气(N2)、氢气(H2)、氧气(O2)、一氧化碳(CO)、二氧化硫(SO2)等氧化性气体其中的一种或几种。由于所述氧化性刻蚀气体几乎不会对硬掩膜层135和待刻蚀材料层110造成损伤，因此只需利用很薄的硬掩膜层135即能够为刻蚀有机分布薄膜120提供掩膜，而刻蚀很薄的硬掩膜层135利用现有的光刻胶层即可，因此利用现有的光刻胶层也能顺利地刻蚀深度较大的刻蚀图形。
[0059]所述卤族刻蚀气体为氯气(Cl2)、氟气(F2)、氟化氢(HF)、四氟化碳(CF4)、八氟化四碳(C4F8)、六氟化硫(SF6)等任何包含卤族元素且适合半导体刻蚀的刻蚀气体。
[0060]在本实施例中，去除所述有机分布薄膜120的具体工艺包括:刻蚀气体为CF4、CHF3、Cl2、HBr，刻蚀气体的流量范围为1sccm?300sccm，射频功率为200瓦?1200瓦，反应腔压强为3毫托?200毫托，反应温度为10摄氏度?100摄氏度。
[0061]由于侧墙155的厚度很薄，在去除所述光刻胶层145后，所述侧墙155即被同时去除。
[0062]请参考图8，以所述有机分布层125为掩膜对待刻蚀材料层110 (请参考图7)进行刻蚀，在待刻蚀材料层I1内形成对应的待刻蚀图形115。
[0063]在本实施例中，以所述硬掩膜层135和有机分布层125为掩膜对待刻蚀材料层110进行刻蚀。在其他实施例中，也可以先去除所述硬掩膜层，仅以所述有机分布层为掩膜对待刻蚀材料层进行刻蚀。
[0064]综上，由于本发明在曝光显影形成具有开口的光刻胶层后，在所述光刻胶层的开口侧壁会形成侧墙。后续以所述光刻胶层为掩膜对硬掩膜薄膜进行刻蚀时，由于光刻胶层的开口侧壁具有侧墙，刻蚀气体不会刻蚀靠近开口位置的光刻胶层，使得所述光刻胶层开口的尺寸不会受到器件密度不均的影响而发生变化，且光刻胶层开口的侧壁形貌不会发生变化，使得最终形成的刻蚀图形侧壁形貌良好。
[0065]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【权利要求】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括: 提供待刻蚀材料层； 在所述待刻蚀材料层上依次形成硬掩膜薄膜和光刻胶薄膜； 对所述光刻胶薄膜进行曝光显影，形成具有开口的光刻胶层，所述光刻胶层暴露出部分硬掩膜薄膜； 在所述光刻胶层表面和暴露出的硬掩膜薄膜表面形成侧墙薄膜； 对所述侧墙薄膜进行回刻蚀，在所述光刻胶层的开口侧壁形成侧墙； 以所述光刻胶层和侧墙为掩膜，对所述硬掩膜薄膜进行刻蚀，形成硬掩膜层； 以所述硬掩膜层为掩膜，对所述待刻蚀材料层进行刻蚀，在待刻蚀材料层内形成对应的刻蚀图形。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化钛或氮化钽。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙薄膜的工艺为原子层沉积、物理气相沉积或化学气相沉积。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述侧墙的材料为氮化硅时，形成所述侧墙薄膜的具体工艺包括:反应气体包括NH3, SiCl4，流量为1sccm?100sccm,反应腔室温度为200度?800度，反应腔室压强为3毫托?I托。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的厚度范围小于或等于50埃。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括:在所述待刻蚀材料层表面形成有机分布薄膜，在所述有机分布薄膜表面形成所述硬掩膜薄膜。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有机分布薄膜的厚度范围为1000埃?2000埃。
8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括:形成所述硬掩膜层后，以所述硬掩膜层为掩膜，对所述有机分布薄膜进行刻蚀直到暴露出所述待刻蚀材料层，形成有机分布层；以所述有机分布层为掩膜对待刻蚀材料层进行刻蚀，在待刻蚀材料层内形成对应的待刻蚀图形。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括:在所述硬掩膜薄膜表面形成底部抗反射薄膜，在所述底部抗反射薄膜表面形成光刻胶薄膜。
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括:在光刻胶层的开口侧壁形成侧墙后，以所述光刻胶层和侧墙为掩膜，对所述底部抗反射薄膜和硬掩膜薄膜进行刻蚀，分别形成底部抗反射层和硬掩膜层。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜薄膜为氧化娃层、氮化娃层、氮氧化娃层、氮化钛层或氮化钽层其中的一层或几层堆叠结构。
12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜薄膜的厚度范围为200埃?800埃。
13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述硬掩膜薄膜进行刻蚀的刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。
14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述有机分布薄膜进行刻蚀的刻蚀气体为氧化性刻蚀气体和齒族刻蚀气体的混合物或氧化性刻蚀气体。
15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化性刻蚀气体为氮气、氢气、氧气、一氧化碳、二氧化硫其中的一种或几种。
16.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述卤族刻蚀气体包括氯气、氟气、氟化氢、四氟化碳、八氟化四碳、六氟化硫其中的一种或几种。
17.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述有机分布薄膜的具体工艺包括:刻蚀气体为CF4、CHF3> Cl2, HBr，刻蚀气体的流量范围为1sccm?300sccm，射频功率为200瓦?1200瓦，反应腔压强为3毫托?200毫托，反应温度为10摄氏度?100摄氏度。
【文档编号】H01L21/336GK104465386SQ201310439583
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2013年9月24日 优先权日:2013年9月24日
【发明者】王冬江, 张海洋 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司, 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司