技术编号:7466409
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种内置功率MOS场效应晶体管(下面称为功率MOSFET)和驱动该晶体管的驱动电路的半导体装置,尤其涉及包含功率MOSFET和驱动该晶体管的驱动电路的、适用于高速转换的非绝缘型DC-DC转换器。背景技术 随着计算机等CPU(central processing unit)中所用电源的低电压化,多采用基于同步整流方式的电源。另外,CPU用电源所需的电流变化率(di/dt)越来越大,并且,为了抑制电源输出电压的起伏,电源高速化为得重要。图1中示出变压...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。