技术编号:7495971
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及静电放电,特别设计一种静电放电保护电路。技术背景随着集成电路制造工艺水平进入线宽的深亚微米时代,集成电路中的MOS元件 都采用轻掺杂漏(LDD,LightlyDopedDrdn)结构,并且硅化物工艺已广泛应用于MOS 元件的扩散层上。同时为了降低栅极多晶的扩散串联电阻,采用了多晶化合物的制造工 艺。随着集成电路元件的缩小,MOS元件的栅极氧化层厚度越来越薄,这些制造工艺的 改进可大幅度提高集成电路内部的运算速度,并可提高电路的集成度。但是这些改进...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。