技术编号：7508492
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及目的在于抑制来自绝缘栅极场效应晶体管的漏电流而节省功耗的半导体集成电路器件。背景技术 在半导体集成电路中，设有大量的绝缘栅极场效应晶体管(以下简称“MOSFET”)。此外，微制造加工缩短了沟道长度，并减小了栅极氧化膜厚度，从而增加了集成度或改进了操作速度。然而，却降低了阈值、或增加了漏电流与功耗的比值。于是，需要一种解决该问题的方案。众所周知，阈值或漏电流可通过调整源极—基底电压或源极—漏极电压而得到某种程度的控制。近年来的研究建议当不使该电压高...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。