技术编号:7514379
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及延迟电路、半导体控制电路、显示设备和电子设备。 背景技术一般而言,当在与驱动电路集成的显示设备的绝缘基板上形成倒相电路(inverter circuit)时,在对于TFT (薄膜晶体管)的多晶硅过程或非晶硅过 程中,诸如阈值电压Vth、迁移率p等的晶体管特性的变化比在单一结晶过 程中的大。图1是示出通过将两级的典型的CMOS (互补金属氧化物半导体)倒相 电路彼此连接而形成的緩冲器电路(下文称作延迟緩冲器电路)的图。该电路具有配置简单(面积小)、...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。