技术编号:7520822
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电压切换电路、集成器件和集成电路、以及一种电压切换的方法。背景技术由于成本原因,选择混合信号集成电路(IC)的半导体技术通常支持低电压(LV)、源自致密的主流数字半导体技术的双栅氧(DGO)处理技术。像所有电气和电子部件一样,在不遭受损害的情况下,DGO MOS (金属氧化物半导体)晶体管能够处理的电压量是有限制的。特别是,针对跨其栅氧化层和跨其沟道区域上的最大允许电压来定额DGOMOS晶体管。这产生了技术电压最大评定等级,在IC技术手册中通常被...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。