技术编号:7526615
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路设计,特别涉及一种防止闩锁(Latch-UP)的电路和方法。 背景技术闩锁效应,又称寄生可控硅整流器(SCR,Silicon Controlled Rectifier)效应 或寄生PNPN效应。在整体硅的CMOS晶体管下,不同极性掺杂的区域间都会构成PN结, 而两个靠近的反方向的PN结就构成了一个双极结型晶体三极管(BJT,Bipolar Junction Transistor)。因此,CMOS晶体管的下面会构成多个三极管,这些三极管自身...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。