技术编号:7530527
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。基于PMOS晶体管的源极跟随器本发明属于源极跟随器,涉及基于PMOS晶体管的源极跟随器。背景技术基于MOS器件(即M0SFET,也即MOS晶体管)的源极跟随器被广泛应用于各种功能电路中。例如,源极跟随器通常可以用作高速输入缓冲,它电路结构简单,源极跟随器可以提供高输入阻抗、低输出阻抗和宽信号带宽;相比于基于闭环驱动的运算放大器,源极跟随器不存在稳定性问题。因此,源极跟随器非常适用于缓冲器和驱动电路。图1所示为传统PMOS晶体管的示意图,其中(a)为其截面结...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。