技术编号：7962773
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及固体摄像装置，特别是利用CMOS技术制造的CMOS传感器等固体摄像装置。在p型硅衬底31上形成p型阱区域32。在该阱区域32的表面部，形成由p+型扩散层33和n型扩散层34构成的光电变换区域35。上述n型扩散层34构成用于存储将输入光进行光电变换而得到的信号电荷的信号存储部，上述p+型扩散层33是为了防止暗电流而形成的。与上述光电变换区域35相邻地形成进行构成信号存储部的上述n型扩散层34存储的信号电荷的读出控制的栅极36。另外，与上述栅极36相邻地形成作为信号检测部的n型扩散层37，该n型扩散层...
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