技术编号：8008978
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及优质单晶或精细单晶外延阻挡层的形成;尤其涉及这样一种层的形成，该层在制备用于固体器件或电路的多层薄膜结构时既可作起始层，又可作处于中间阶段的层。在单晶基体上外延生成的这种层，既可起防止杂质迁移的化学阻挡层的作用，又可起控制或消除电流通过的电子阻挡层的作用。常常通过在单晶自身的基片上生长完美单晶或精细单晶层的方法来制成薄膜器件或微电子电路。当生长过程中晶体方向由基体的晶格周期性与其相匹配来决定时，该薄膜可叫作外延。进一步讲，当形成多层薄膜时，有时可以通过使每一层都与其前续层的一些晶格周期性相匹配的方...
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