技术编号：8015319
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及到半导体材料的外延生长，其方法使晶体缺陷减到最少，从而增强了用这种半导体制得的器件的最终性能。具体地说，本发明涉及到用液相外延(LPE)方法生长低缺陷碳化硅外延层的方法。碳化硅(SiC)是一种制造多种用途特别是那些要求大功率的固体器件的理想半导体。诸如飞机与航空电子学、涡轮发动机、空间电力系统和其它许多这样的应用都需要能够处置压降较低的大电流的开关和放大器。碳化硅的基本特性使它具有在这些应用中提供改进了性能的器件的潜力。例如，测得的碳化硅的击穿电场依赖于掺杂范围在2-4×106V/cm的范围内，这...
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