技术编号：8019304
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明一般涉及一种金属化系统，更详细地说，涉及用于半导体集成电路的金属化系统。正如本领域所公知，现代集成电路中的金属化系统，一般包括多层电导体图形，或由介质，通常二氧化硅所隔离的引线。一个明显衍生的问题是上层次发生的热传导到衬底，一般地说传到硅中去。各个层次中的引线，由穿过待电互连的引线之间介质的导电通路被电互连起来。同时这些导电通路也构成为在上层引线的热传导到下层引线，然后把热输送到更导热的衬底上去，而在集成电路的某些区域，有些引线靠近通路较少。这种情况，对用低介质常数膜，象旋涂玻璃、有机聚合物或干凝胶之...
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