技术编号:8044961
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种,属于复合纳米微晶材料技术领域。背景技术ZnO是一种新型的II - VI族直接带隙宽禁带氧化物半导体材料,室温下禁带宽度(Eg =3. 2eV ),与GaN等其它光电子材料相比,具有低介电常量、大光电耦合率、高的化学稳定性以及优良的压电、光电特性,并且SiO的激子结合能高达60meV,是一种在紫外和蓝光发射方面很有发展前景的新型光电子材料。在太阳能电池、液晶显示器、气体传感器、紫外半导体激光器以及透明导电薄膜等方面具有广泛的应用前景。纳米SiO的性能随着掺杂组分和制备条件的不同会表现出很大的差...
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