技术编号：8066834
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明公开了一种，本发明的高频基板结构包括复合膜，所述复合膜由依序相迭合的第一子层、第二子层和第三子层三个子层构成，其中，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层三个子层中至少有一个子层为氟系聚合物层；还包括第一金属层，所述第一金属层形成于所述第一子层上，且所述第一子层夹置于所述第二子层和所述第一金属层之间；还包括第二金属层，所述第二金属层形成于所述第三子层上，且所述第三子层夹置于所述第二子层与所述第二金属层之间，本发明的高频基板结构制程加工性好，且经测试结果可知本发明的高频基板结构具有低介电常数、低介电损...
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