高频基板结构及其制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种高频基板结构及其制造方法，本发明的高频基板结构包括复合膜，所述复合膜由依序相迭合的第一子层、第二子层和第三子层三个子层构成，其中，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层三个子层中至少有一个子层为氟系聚合物层；还包括第一金属层，所述第一金属层形成于所述第一子层上，且所述第一子层夹置于所述第二子层和所述第一金属层之间；还包括第二金属层，所述第二金属层形成于所述第三子层上，且所述第三子层夹置于所述第二子层与所述第二金属层之间，本发明的高频基板结构制程加工性好，且经测试结果可知本发明的高频基板结构具有低介电常数、低介电损耗以及良好的耐热性。
【专利说明】高频基板结构及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种高频基板结构，尤指一种在两金属层之间夹置复合膜的高频基板结构及其制造方法。
【背景技术】
[0002]印刷电路板是电子产品中不可或缺的材料，而随着消费性电子产品需求成长，对于印刷电路板的需求亦是与日俱增。由于软性印刷电路板具有可挠曲性及可三度空间配线等特性，在科技化电子产品强调轻薄短小、可挠曲性的发展驱势下，目前被广泛应用计算机及其外围设备、通讯产品以及消费性电子产品等等。
[0003]近来，由于电子产品已走向高速及高频的应用趋势，使得现今电子产品都需要使用高频电路用印刷电路基板来支持，以达到高频及高速的运作功效。在众多被用作为高频电路用印刷电路基板的材料中，除了陶瓷和发泡材料外，以氟系树脂居多，其原因在于氟系树脂具有低介电常数(Dk)和低介电损耗(Df )，如聚四氟乙烯(PTFE)基板在频率IOGHz下具有Dk值2.1、Df值0.0004，与低吸水率0.0003等优异的电气性质。
[0004]但是，PTFE基板低玻璃转移温度Tg是19 °C，耐热性不足。
[0005]因此，仍需要开发能够改善制程加工性，同时具有低介电常数与低介电损耗以及耐热性佳的高频基板结构。
【发明内容】
[0006]为了克服上述缺陷，本发明提供了一种高频基板结构及其制造方法，本发明的高频基板结构制程加工性好，且具有低介电常数、低介电损耗以及良好的耐热性。
[0007]本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0008]一种高频基板结构，包括复合膜，所述复合膜由依序相迭合的第一子层、第二子层和第三子层三个子层构成，其中，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层三个子层中至少有一个子层为氟系聚合物层；还包括第一金属层，所述第一金属层形成于所述第一子层上，且所述第一子层夹置于所述第二子层和所述第一金属层之间；还包括第二金属层，所述第二金属层形成于所述第三子层上，且所述第三子层夹置于所述第二子层与所述第二金属层之间。
[0009]较佳地，所述第二子层为氟系聚合物层，所述第一子层和所述第三子层皆为聚酰亚胺层。
[0010]较佳地，所述氟系聚合物层是四氟乙烯与乙烯的共聚物(ETFE)层、聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物层或聚四氟乙烯层(polytetrafIuorethylene)。
[0011]优选的是,所述氟系聚合物层是聚四氟乙烯(polytetrafluorethylene)层或四氟乙烯与乙烯的共聚物(ETFE)层。
[0012]较佳地，所述第一金属层和所述第二金属层皆是铜层。
[0013]较佳地，所述氟系聚合物层的厚度介于25至50微米之间。[0014]较佳地，所述第一金属层和所述第二金属层的厚度是各自介于12至36微米之间。
[0015]较佳地，所述第一子层和所述第三子层的厚度是各自介于6至25微米之间。
[0016]上述高频基板结构的制造方法，如下:所述第二子层为氟系聚合物层，在所述第一金属层上涂布聚酰胺酸并经烘箱干燥以及亚酰胺化后形成由第一金属层以及第一子层构成的单面无胶的第一金属基板，所述第一子层为聚酰亚胺层，在所述第二金属层上涂布聚酰胺酸并经烘箱干燥以及亚酰胺化后形成由第二金属层以及第三子层构成的单面无胶的第二金属基板，所述第三子层为聚酰亚胺层，将所述氟系聚合物层的两面热压合第一金属基板以及第二金属基板后即可得到所述高频基板结构。
[0017]本发明的有益效果是:本发明的高频基板结构，包括复合膜，复合膜由依序相迭合的第一子层、第二子层和第三子层三个子层构成，其中，三个子层中至少有一个子层为氟系聚合物层，还包括第一金属层，第一金属层形成于第一子层上，还包括第二金属层，第二金属层形成于第三子层上，本发明的高频基板结构制程加工性好，且经测试结果可知本发明的高频基板结构具有低介电常数、低介电损耗以及良好的耐热性。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1为本发明结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域普通技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的优点及功效。本发明也可以其它不同的方式予以实施，即，在不悖离本发明所揭示的范畴下，能予不同的修饰与改变。
[0020]须知，本说明书的附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域普通技术人员了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”及“第二”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
[0021]实施例:请参照图1，为显示本发明的高频基板结构100，包括:第一金属层110 ；复合膜120，该复合膜具有第一子层121、第二子层122及第三子层123 ;第二金属层130 ;该第一金属层110形成于该复合膜120的第一子层121上,使该第一子层121夹置于该第二子层122与第一金属层110之间；该第二金属层130形成于该第三子层123上，使该第三子层123夹置于该第二子层122与第二金属层130之间。
[0022]本发明的高频基板结构100的第二子层122是使用具有低介电常数材质的氟系聚合物层，其实例包括但非限于:聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物、四氟乙烯与乙烯的共聚物或聚四氟乙烯。因氟系树脂材料本身具有分子堕性与低表面能特性，因此，为提高其与第一子层和第三子层黏着特性，第二子层最佳使用为表面粗化处理的表面改质氟系树脂膜。
[0023]具体实施时，该氟系聚合物层的材质可以是聚四氟乙烯或四氟乙烯与乙烯的共聚物。一般而言，该第二子层22的厚度为25至50微米。
[0024]本发明的高频基板结构100的第一金属层110及第二金属层130是铜层，且该第一金属层110及第二金属层130层之厚度系各自介于12至36微米之间。
[0025]本发明的第一子层121与第三子层123可为为聚酰亚胺层，其厚度系各自介于6至25微米。
[0026]本实施例的高频基板的制造方法如下:
[0027]复合膜的第二子层使用一厚度为25微米的双面改质聚四氟乙烯膜(迪渥工业型号SD-222)，其中，第一金属层和第二金属层是铜箔，在各铜箔上涂布聚酰胺酸并经烘箱干燥以及亚酰胺化后形成由第一金属层以及第一子层构成的单面无胶的第一覆铜板以及由第二金属层以及第三子层构成的单面无胶的第二覆铜板，其中，第一子层和第三子层为聚酰亚胺层且其厚度皆为12微米，将该聚四氟乙烯膜的两面热压合第一覆铜板以及第二覆铜板后即可得到如图1所示的高频基板结构。
[0028]比较例I及2:在比较例I中，复合膜的第二子层使用厚度为25微米的杜邦Kapton聚酰亚胺膜，首先，是将25微米的双面改质聚四氟乙烯膜(迪渥工业型号SD-222)做为第一子层与第三子层。接着，将该两单面聚四氟乙烯膜热压合Kapton聚酰亚胺膜后形成复合膜，将该复合膜上下两面热压12微米铜箔后形成比较例I的高频基板结构。另外，比较例2是将50微米聚四氟乙烯膜相对上下两面热压18微米铜箔后形成比较例2的高频基板结构。
[0029]测试例:高频基板的电气特性测试
[0030]根据表1所示资料制备高频基板样品，并对该样品进行机械特性与电气特性测试，测试项目包括热应力试验(Thermal stress test)，采用IPC-TM-65022的热应力试验方法，评估基板材料在高温锡炉下了解材料的耐热能力；介电常数和介电损耗量测则系依据ASTM 2520波导谐振腔(Waveguide `Resonators)测试方式，并将结果记录于表1。
[0031]表1
【权利要求】
1.一种高频基板结构，其特征在于:包括复合膜，所述复合膜由依序相迭合的第一子层、第二子层和第三子层三个子层构成，其中，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层三个子层中至少有一个子层为氟系聚合物层；还包括第一金属层，所述第一金属层形成于所述第一子层上，且所述第一子层夹置于所述第二子层和所述第一金属层之间；还包括第二金属层，所述第二金属层形成于所述第三子层上，且所述第三子层夹置于所述第二子层与所述第二金属层之间。
2.如权利要求1所述的高频基板结构，其特征在于:所述第二子层为氟系聚合物层，所述第一子层和所述第三子层皆为聚酰亚胺层。
3.如权利要求1所述的高频基板结构，其特征在于:所述氟系聚合物层是四氟乙烯与乙烯的共聚物层、聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物层或聚四氟乙烯层。
4.如权利要求3所述的高频基板结构，其特征在于:所述氟系聚合物层是聚四氟乙烯层或四氟乙烯与乙烯的共聚物层。
5.如权利要求1所述的高频基板结构，其特征在于:所述第一金属层和所述第二金属层皆是铜层。
6.如权利要求1所述的高频基板结构，其特征在于:所述氟系聚合物层的厚度介于25至50微米之间。
7.如权利要求1所述的高频基板结构，其特征在于:所述第一金属层和所述第二金属层的厚度是各自介于12至36微米之间。
8.如权利要求2所述的高频基板结构，其特征在于:所述第一子层和所述第三子层的厚度是各自介于6至25微米之间。
9.一种如权利要求1所述的高频基板结构的制造方法，其特征在于:所述第二子层为氟系聚合物层，在所述第一金属层上涂布聚酰胺酸并经烘箱干燥以及亚酰胺化后形成由第一金属层以及第一子层构成的单面无胶的第一金属基板，所述第一子层为聚酰亚胺层，在所述第二金属层上涂布聚酰胺酸并经烘箱干燥以及亚酰胺化后形成由第二金属层以及第三子层构成的单面无胶的第二金属基板，所述第三子层为聚酰亚胺层，将所述氟系聚合物层的两面热压合第一金属基板以及第二金属基板后即可得到所述高频基板结构。
【文档编号】H05K1/03GK103635015SQ201210308259
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2012年8月28日 优先权日:2012年8月28日
【发明者】林志铭, 洪金贤, 林惠峰, 李建辉 申请人:昆山雅森电子材料科技有限公司