技术编号:8084425
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及用于生长高质量氮化物晶体的方法,所述氮化 物晶体用于电子器件中。特别地,本发明涉及用于生长氮化物 晶体的方法和选自A1N、 InGaN、 AlGalnN、 InGaN和AlGaNInN 中的一种的结晶成分。所述成分包括真的单晶,其从直径至少 lmm的单核生长,没有横向应变和倾斜晶界,具有低于约 1()4cm'2的位错密度。背景技术全世界的实验室开发了用于生长高质量氮化镓(GaN)晶体 的各种方法。然而,其它氮化物晶体如AlN和InN,作为衬底用 于如UV-LEDs 、 UV-光电探测器和场效应晶体...
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