技术编号:8091088
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要一种在硅衬底材料上制作的吸波材料及其制备方法,所述方法包括在衬底上沉积一层金属膜;然后采用ICPECVD沉积含硅层;旋涂电子束光刻胶,曝光光刻胶,形成周期结构的光刻胶图形;再沉积一层金属膜并进行剥离,最终形成金属膜/含硅介质层/具周期结构的金属膜的吸波材料。本发明提供的方法简单可行,可以通过调整周期结构的形状、周期和介质层的厚度调节电磁波的吸收频段,使制得的吸波材料具备较好的吸波性能。专利说明技术领域[0001]本发明属于吸波材料领域,尤其涉及一种吸收频率可调控的结构型吸波材料及其制作方法。背景技术[000...
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