技术编号：8091371
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明公开了一种用于白光LED的掺镝氟化钇钆锂单晶体及其生长方法。在LiYF4晶体中掺入Tm3+稀土离子与引入Gd化学组份，生成化学式为LiY(1-α-3)GdαTmβF4的单晶体。该氟化物单晶体具有生长温度低，Dy3+在该晶体中分布均匀，且溶解度大，具有好的热学、机械与化学稳定性。掺杂于该单晶的稀土离子发光效率高；本发明制备方法采用绝水、绝氧的密封坩埚下降法技术，并对原料进行高温氟化处理，得到几乎不含氢氧根离子与氧化物的高质量晶体。Dy3+掺杂LiYGdF4单晶体在～388nm紫外光激发下，Dy3+吸收该...
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