技术编号：8093199
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明公开了一种掺镓多晶硅锭的制备方法，包括如下步骤(1)在坩埚内壁上涂敷氮化硅涂层；(2)在坩埚内装入多晶硅料和镓掺杂剂，形成混合物；(3)将装有混合物的坩埚放入铸锭炉中，抽真空，加热，使混合物按照从上到下的顺序逐渐熔化；(4)进入长晶阶段后，调节铸锭炉中控温热电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射，从而使熔硅在竖直向上的温度梯度下自下向上生长；(5)退火、冷却，即可得到掺镓多晶硅锭。实验证明本发明的多晶硅锭少子寿命较高，位错密度低，由其制得的多晶硅太阳能电池可获得较高的光电转换效率；更重要...
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