技术编号:8094343
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明提出R-VGF法生长高质量化合物半导体单晶工艺。即R-VGF(Rotation-VerticalGradientFreeze)法,是在VGF法单晶生长工艺的基础上,加入旋转工艺,可获得均匀分布的径向温场,有利于轴向温场进行有效散热,从而获得适宜高质量单晶生长的温场环境;在升温熔料阶段,转速1~20r/min,在晶体生长降温阶段转速1~10r/min。应用R-VGF法生长的化合物单晶,有利于提高组分均匀性,能有效降低孪晶、溶质尾迹等缺陷的几率;晶体位错密度得到有效降低,位错分布均匀,有效提高晶体质量及成...
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