技术编号:8097847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域一般,本发明涉及一种按照直拉法的单晶硅锭制备。尤其是,本发明涉及一种方法,所述方法用于在晶锭生长时,利用设置在硅熔体下方的加热器来控制晶锭的热过程(热史,受热历程),以便限制由晶锭得到的晶片中与空位有关的聚集缺陷的密度和尺寸,并改善上述晶片的栅氧化层完整性。背景技术 单晶硅通常用所谓的直拉(“Cz”)法制备,所述单晶硅在大多数场合是用于制造半导体电子元件的原材料。在这种方法中,将多晶硅(“多硅”)装入坩埚并熔化,使一个籽晶与熔化的硅接触并通过缓慢提取法生长单晶。在晶颈形成完成之后,通过降低拉速和/或熔体温度...
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