技术编号：8106170
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本实用新型公开了一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置，该装置属晶体生长技术领域。它包括一个闭合的不含观察窗（6)的均匀加热场系统(I)，在加热场系统（I)内高中温结合部设一无加热体的空置区（3)，在安瓿反应室（5)—端设一可控砷压仓（4)。从而使热场分布更加均匀，垂向和径向温度梯度都变得更易控制，砷压可随机控制，使晶体具备优异化学计量比，成晶率重复性增加，从而使广品质量明显提局。专利说明一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置 技术领域 [0001] 本实用新型涉及晶体生长领域，特别是一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装...
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