一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置，该装置属晶体生长【技术领域】。它包括一个闭合的不含观察窗（6)的均匀加热场系统(I)，在加热场系统（I)内高中温结合部设一无加热体的空置区（3)，在安瓿反应室（5)—端设一可控砷压仓（4)。从而使热场分布更加均匀，垂向和径向温度梯度都变得更易控制，砷压可随机控制，使晶体具备优异化学计量比，成晶率重复性增加，从而使广品质量明显提局。
【专利说明】一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置
【技术领域】：
[0001] 本实用新型涉及晶体生长领域，特别是一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置。【背景技术】：
[0002] 中国专利CN101063233B公开了一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备，它 在传统的生长设备基础上进行了更新，提高了成晶率。但是由于在筒型热场装置上面开 了用于观察的视窗，造成热量大量外泄，致使热系统变得不均匀，导致垂向温度梯度不易控 制。籽晶腔下部设一砷压腔，使得在晶体生长过程中砷压随着籽晶腔所在温区温度不断变 化而变化，致使砷压不稳，化学计量比偏离，使成晶重复性变差。
【发明内容】
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[0003] 本实用新型需要解决的技术问题是：克服【背景技术】的不足，提供一种热系统更加 稳定，砷压控制良好，晶体有严格化学计量比，成晶重复性好的新型晶体生长装置。
[0004] 本实用新型的技术方案是以如下方式完成的：它包括一个闭合的不含观察窗的均 匀加热场装置，其特征在于在闭合的加热场装置内高中温结合部设一空置区，空置区只填 充保温材料不设置加热体。在安瓿反应室一端设一砷压随机可控的砷压仓。
[0005] 本实用新型因加热场装置是闭合式的，不易造成窗口热量流失过大，设置了不含 加热体的空置区可使生长界面附近的结晶潜热得到适当散发，垂向和径向温度梯度都变得 更易控制，整个加热场热分布更加均匀。由于单独设置了砷压仓，砷压不再随籽晶腔温度变 化而变化，在整个晶体生长工艺过程中都使砷压得到了随机调整控制，始终使砷压保持在 各个工艺段要求的范围内。这使得晶体具备优异的化学计量比，成晶率重复性大大增加，从 而使产品质量得到明显提高。
【专利附图】
【附图说明】：
[0006] 下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0007] 图1是现有技术加热场装置结构示意图。
[0008] 图2是本实用新型加热场装置结构示意图。
[0009] 图中1.加热场系统，2.固液生长界面,3.空置区,4.砷压仓,5.安瓶反应室.6.观 察窗。
【具体实施方式】：
[0010] 本实用新型是对现有技术的改进。从图1和图2可以看出，本实用新型设置了一 个闭合的不含观察窗6的加热场系统1，在整个工艺过程中晶体在一闭合的加热场系统1中 生长。在高中温结合部增加了一空置区3,空置区3内有固液生长界面2的图像传感器。在 安瓿反应室5设一单独砷压仓4,砷压仓4具有独立的温控系统，在晶体生长工艺过程中，无 加热体空置区3既可调整热场均匀性，又可在工艺不稳定的情况下观察固液生长界面2的 生长状况并作及时调整。引晶放肩工艺段砷压仓4处于中温区无需加热，进入等径生长阶 段启动砷压仓4控制系统并实时控制，始终使砷压保持在工艺段要求的范围内。这使得晶 体具备优异的化学计量比，加上均匀的热场，使成晶率重复性大大增加，产品质量得到明显 提尚。
【权利要求】
1. 一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置，它包括一个闭合的不设视窗的均匀加热场装 置，其特征在于：在闭合的加热场装置内高中温结合部设一空置区，空置区只填冲保温材料 不设置加热体。
2. 根据权利要求1所述的一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置，其特征在于：在闭合 的加热场装置内的安瓿反应室一端设一可控砷压仓。
【文档编号】C30B35/00GK204023003SQ201420238426
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年5月12日 优先权日:2014年5月12日
【发明者】郑婧鹏 申请人:郑婧鹏