技术编号：8106728
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种制造具有掺磷金刚石外延薄膜的金刚石单晶的方 法，以及涉及具有掺磷金刚石外延薄膜的金刚石单晶。背景技术作为半导体材料的金刚石具有5.5 eV的极大的带隙，以及在室温 下对于电子和空穴2000 cm2/V*s的高载流子迁移率。介电常数也小， 为5.7，而击穿电场高，为5xl(^V/cm。此外，金刚石还具有稀有的负 电子亲合性特性，其中真空能级存在于导带的底端下面。因为这些优 异的特性，金刚石具有作为半导体器件用材料的潜在应用，所述半导 体器件如在高温环境或空间环境中工作的耐环境的器件、能够高频和 ...
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