技术编号:81177
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种半导体集成电路,它具有根据阈值电压之差来存储信息的可重写的非易失性(non-volatile)存储区,特别涉及一种技术,它关注当存储信息被重写时的保证次数和存储信息的读取速度之间的关系,诸如可有效地适用于微电脑的技术,其中可重写的非易失性存储器与中央处理器一起被安装在芯片上。 背景技术在专利文献1中,公开了一种技术,其中,当诸如用户程序之类的被写入闪存的用户存储区中时,闪速固件和默认参数以及闪速识别信息提前被存储在掩模ROM的掩模存储区中,版本信息或分配(lot)信息被存储在非易失性存储器中,...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。