技术编号:8119503
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及生长GaN晶体基片的方法及GaN晶体基片。然而,很难生长出大的GaN复合半导体晶体,并且由于这个原因,还没有生产出来有实际用途的GaN基片。蓝宝石作为生长GaN的基片在目前已经得到广泛的实际应用,并且在单晶蓝宝石基片上外延生长GaN是一种很普遍的方法,例如,运用金属有机物气相外延法。蓝宝石基片和GaN的晶格常数不同,因此,当直接在蓝宝石基片上生长GaN时,生长不出单晶GaN薄膜。为了解决这个问题,日本专利(公开号No.188983/1988)公开了一种方法,先在蓝宝石基片上低温生长AlN或者GaN...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。