技术编号：8125112
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及制备化合物单晶的设备，尤其是一种砷化镓单晶制备设备。 背景技术砷化镓单晶传统的生长方法是水平法，即将镓和砷放在真空密封的石英容器 中，放入水平炉的热场中生长单晶。该装置是由碳化硅导热装置来支撑石英反应 管，碳化硅导热装置从炉壳中穿过，传动装置带动行走装置，使炉体在导轨上行 走，四区热场控制器的热量透过碳化硅导热装置辐射到石英反应管，炉体中从右 往左分为高、中、低三个温度区，当整个炉体由机械传动装置带动沿着碳化硅导 热装置从右向左移动，砷化镓熔体沿固体砷化镓籽晶慢慢结晶，从而生长成单晶。 由于该...
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