专利名称：砷化镓单晶制备设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及制备化合物单晶的设备，尤其是一种砷化镓单晶制备设备。
背景技术：
砷化镓单晶传统的生长方法是水平法，即将镓和砷放在真空密封的石英容器 中，放入水平炉的热场中生长单晶。该装置是由碳化硅导热装置来支撑石英反应 管，碳化硅导热装置从炉壳中穿过，传动装置带动行走装置，使炉体在导轨上行 走，四区热场控制器的热量透过碳化硅导热装置辐射到石英反应管，炉体中从右 往左分为高、中、低三个温度区，当整个炉体由机械传动装置带动沿着碳化硅导 热装置从右向左移动，砷化镓熔体沿固体砷化镓籽晶慢慢结晶，从而生长成单晶。 由于该传动装置与行走装置采用直接连接式，导轨采用滚轮或者普通导轨，在传 动过程中，容易产生抖动、爬行，撞坏单晶炉，从而影响成品率。 发明内容
发明目的本实用新型的目的在于提供一种传动平稳、安全可靠，并有效提 高单晶出品率的生产砷化镓单晶的设备。
技术方案本实用新型所述的一种砷化镓单晶制备设备，包括四区热场控制 器、行走装置、传动装置、导轨装置，其特征在于传动装置与行走装置之间的 连接为软连接。
所述的软连接为橡胶软连接或金属软连接。
所述的导轨装置为滚柱直线导轨装置，可以进一步加强传递的平稳性。 电控装置通过伺服系统给传动装置传递信号，传动装置根据命令通过软连接 带动行走装置，使炉体在在滚柱直线导轨上移动。
本设备由电控装置控制四区热场控制器，根据砷化镓单晶的制备条件调节热 场温度。
所述的四区热场控制器外面罩有外壳，可以防止灰尘进入。
有益效果本实用新型同现有技术相比，减少了在较长时间极慢速情况下行
车容易产生爬行、抖动的现象，运行更平稳，从而避免撞坏炉体，使设备运行更
加合理，有效提高了砷化镓单晶的出品率。
附图是本实用新型的结构示意图具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明
如图所示本实用新型包括炉壳l,四区热场控制器2，行走装置3，传动 装置4，碳化硅导热装置5，滚柱直线导轨装置6，升降装置7，支座8。炉壳l 和四区热场控制器2的外壳是由特殊的保温材料制成，二者紧密安装。升降装置 7安装在炉壳1下部，可以根据砷化镓单晶的成长要求随机调节主体部分的高度， 保证单晶成晶率。根据砷化镓单晶生长的条件调节电控装置，设定符合要求的条 件，电控装置控制伺服系统，伺服系统将信号传给传动装置4，传动装置4根据 系统指令，通过软连接，带动行走装置3，使与行走装置3连接的四区热场控制 器2及其外壳和炉壳1沿着碳化硅导热装置5水平移动。四区热场控制器2的下 部与行走装置3连接。由于把以前的滚轮或普通导轨改为滚柱直线导轨装置6， 从而有效消除了行走过程中的爬行、抖动现象，使运行更加平稳。传动装置4 与行走装置3之间为软连接，该软连接为橡胶软连接或者金属软连接，它可以有 效的减少传动过程中的振动，检修方便，易于拆卸。根据砷化镓单晶的热场温度 需求调节电控装置，设定四区热场控制器2的温度，碳化硅导热装置5能根据砷 化镓单晶的热场需求进行自由调节，从而保证整个热场的需求，使整个砷化镓单 晶的热场受热更加均匀，提高了砷化镓单晶的出品率。同时本实用新型由老式的 直接测温改为增加了恒温控制装置，使炉体内四区热场2控制器测量温度不受外 界环境温度影响而失真，使拉晶成品率较大幅度提高。
以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的 普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以作出若干改进， 这些改进也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1、一种砷化镓单晶制备设备，包括四区热场控制器(2)、行走装置(3)、传动装置(4)、导轨装置，其特征在于传动装置(4)与行走装置(3)之间的连接为软连接。
2、 根据权利要求1所述的砷化镓单晶制备设备，其特征在于所述的软连接为橡胶软连接或金属软连接。
3、 根据权利要求1所述的砷化镓单晶制备设备，其特征在于所述的导轨装置为滚柱直线导轨(6)。
4、 根据权利要求1所述的砷化镓单晶制备设备，其特征在于电控装置通过伺服系统给传动装置(4)传递信号，传动装置(4)根据命令通过软连接带动 行走装置(3)，使炉体在在滚柱直线导轨(6)上移动。
5、 根据权利要求l、 2、 3或4所述的砷化镓单晶制备设备，其特征在于 电控装置控制四区热场控制器(2)。
6、 根据权利要求5所述的砷化镓单晶制备设备，其特征在于四区热场控 制器(2)外面罩有外壳。
专利摘要本实用新型公开了一种砷化镓单晶制备设备，包括炉壳、四区热场控制器、行走装置、传动装置、碳化硅导热装置、导轨装置、升降装置、支座、电控装置，传动装置与行走装置之间的连接为软连接，导轨为滚柱直线导轨。本实用新型同现有技术相比，减少了在较长时间极慢速情况下行车容易产生爬行、抖动的现象，运行更平稳，从而避免撞坏炉体，从而使设备更合理，有效提高的了砷化镓单晶的出品率。
文档编号C30B29/42GK201236221SQ20082003776
公开日2009年5月13日 申请日期2008年7月2日 优先权日2008年7月2日
发明者袁长胜 申请人:袁长胜