技术编号:8126007
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及激光晶体结晶工艺学领域。 背景技术目前国际上普遍采用感应加热铱坩埚提拉法生长NdYAG系列激光晶体,这 种方法投入大、生长周期长,晶体浓度低、有核心、成本高。实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装 置,它很好地解决了感应加热铱坩埚提拉法生长装置中存在的投入大、生长周 期长,晶体浓度低、有核心、生长成本高的问题,并且该装置结构简单、温场 稳定,晶体成品率高(〉95%)本实用新型的技术方案是 一种电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置, 包括通过氧化铝垫片连接电极...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。