电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置的制作方法

文档序号:8126007阅读:325来源:国知局
专利名称:电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及激光晶体结晶工艺学领域。
背景技术
目前国际上普遍采用感应加热铱坩埚提拉法生长Nd:YAG系列激光晶体,这 种方法投入大、生长周期长,晶体浓度低、有核心、成本高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装 置,它很好地解决了感应加热铱坩埚提拉法生长装置中存在的投入大、生长周 期长,晶体浓度低、有核心、生长成本高的问题,并且该装置结构简单、温场 稳定,晶体成品率高(〉95%)
本实用新型的技术方案是 一种电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置, 包括通过氧化铝垫片连接电极板的托盘,以及置于托盘上的钼侧保温屏,钼侧 保温屏上端设有钼上保温屏,钼侧保温屏内侧装有电阻加热器,钼埚托通过连 接体与电极板连接,钼埚托的外侧罩有钼台罩,钼埚托上设有钼坩埚,钼坩埚 内装有熔体,电阻加热器设置在钼坩埚的周围,电阻加热器和钼侧保温屏之间 还设有内屏蔽筒,钼坩埚上方设有钼籽晶杆,钼籽晶杆下端装有籽晶,籽晶下 端位于熔体上方,且钼籽晶杆、籽晶均位于钼上保温屏的内侧。
本实用新型在使用时,下降籽晶与铱坩埚内的熔体接触,通过向上提拉、 旋转籽晶,调整加热功率,就可不断生长出晶体。
本实用新型的有益效果是结构简单、温场稳定、投入小,可实现高浓度 的无核心、无位错、无散射的激光晶体生长,并且生长周期短、晶体成品率高 (>95%)、生长成本低。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型进一步说明。

附图是本实用新型的结构示意附图标记1是钼籽晶杆,2是籽晶,3是晶体,4是熔体,5、 6、 7是钼 上保温屏,8是钼坩埚,9是钼埚托,10、 11、 12是钼侧保温屏,13是电阻加
热器,14是内屏蔽筒,15是托盘,16是电极板,17是钼台罩,18是连接件,
19是氧化铝垫片。
具体实施方式
如附图所示, 一种电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置,包括通过氧 化铝垫片19连接电极板16的托盘15,以及置于托盘15上的钼侧保温屏10、 11、 12,钼侧保温屏IO、 11、 12上端设有钼上保温屏5、 6、 7,钼侧保温屏IO、 11、 12内侧装有电阻加热器14,钼埚托9通过连接体18与电极板16连接,钼 埚托9的外侧罩有钼台罩17,钼埚托9上设有钼坩埚8,钼坩埚8内装有熔体4, 电阻加热器14设置在钼坩埚8的周围,便于对钼坩埚进行加热,电阻加热器13 和钼侧保温屏12之间还设有内屏蔽筒14,钼坩埚8上方设有钼籽晶杆1,钼籽 晶杆1下端装有籽晶2,当使用时,下降籽晶2与熔体4接触,通过向上提拉、 旋转籽晶2,调整加热功率,就可不断生长出晶体3,且钼籽晶杆l、籽晶2均 位于钼上保温屏5、 6、 7的内侧。
需要说明的是虽然上述实施例已经详细描述了本实用新型的结构,但本 实用新型并不限于上述实施例,凡是本领域技术人员从上述实施例中不经过创 造性劳动就可以想到的替换结构,均属于本实用新型的保护范围。
权利要求1、一种电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置,包括通过氧化铝垫片(19)连接电极板(16)的托盘(15),以及置于托盘(15)上的钼侧保温屏(10、11、12),钼侧保温屏(10、11、12)上端设有钼上保温屏(5、6、7),其特征在于钼侧保温屏(12)内侧装有电阻加热器(13),钼埚托(9)通过连接体(18)与电极板(16)连接,钼埚托(9)的外侧罩有钼台罩(17),钼埚托(9)上设有钼坩埚(8),钼坩埚(8)内装有熔体(4),电阻加热器(13)设置在钼坩埚(8)的周围,电阻加热器(13)和钼侧保温屏(12)之间还设有内屏蔽筒(14),钼坩埚(8)上方设有钼籽晶杆(1),钼籽晶杆(1)下端装有籽晶(2),籽晶(2)下端位于熔体(4)上方,且钼籽晶杆(1)、籽晶(2)均位于钼上保温屏(5、6、7)的内侧。
专利摘要本实用新型公开了一种电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置,属于激光晶体结晶工艺学领域;包括通过氧化铝垫片连接电极板的托盘,以及置于托盘上的钼侧保温屏,钼侧保温屏上端设有钼上保温屏,钼侧保温屏内侧装有电阻加热器,钼埚托通过连接体与电极板连接,钼埚托的外侧罩有钼台罩,钼埚托上设有钼坩埚,钼坩埚内装有熔体,电阻加热器设置在钼坩埚的周围,电阻加热器和钼侧保温屏之间还设有内屏蔽筒,钼坩埚上方设有钼籽晶杆,钼籽晶杆下端装有籽晶,籽晶下端位于熔体上方,且钼籽晶杆、籽晶均位于钼上保温屏的内侧;本实用新型具有结构简单、温场稳定、投入小,可实现高浓度的无核心、无位错、无散射的激光晶体生长,并且生长周期短、晶体成品率高(>95%)、生长成本低。
文档编号C30B15/14GK201201983SQ20082006360
公开日2009年3月4日 申请日期2008年5月30日 优先权日2008年5月30日
发明者茂 叶, 周世斌, 汤海涛, 王国强 申请人:成都东骏激光有限责任公司
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