专利名称：用于生长蓝宝石单晶片的异形钼坩埚的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及用于生长蓝宝石单晶片的坩埚领域，具体涉及一种用于生长蓝宝石单晶片的异形钼坩埚。
背景技术：
追求高纯净，大尺寸，晶体完整性好，便于加工的大尺寸单晶蓝宝石一直是各国研 究人员的主要研究方向。由于蓝宝石硬度高(9. OMohs)，各向异性，生长困难，不便于加工， 传统棒料在加工过程中容易造成很大的浪费。而导模法则具有晶体生长速度快，尺寸可以 精确控制，简化了晶体的加工程序，大大降低了晶体加工难度，节省了材料、时间和能源，降 低生产成本，提高经济效益，是人工蓝宝石当前最主要的生长方法。但在传统圆坩埚中，大尺寸晶片(直径> 80mm)径向温度梯度较大极易碎裂，抗热 冲击性弱，制约了导模法大尺寸晶片的生产，限制了其在大尺寸探测窗口中的应用。其主要 原因是由于承料坩埚在中频感应炉中起到了发热、保温、热反射的作用，致使其温度高于蓝 宝石晶体生长温度(2050°C )，而晶体生长固液界面上的各点与坩埚壁距离不等，致使径向 温度不均勻，梯度过大，进而导致晶体开裂。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于生长蓝宝石单晶片的异形钼坩埚， 构建均勻的径向温度梯度，来适应导模法定形生长大尺寸的蓝宝石单晶片。为解决上述问题，本实用新型的技术方案为一种用于生长蓝宝石单晶片的异形钼坩埚，包括有碟形钼坩埚，其特征在于所述 碟形钼坩埚的中部有模具槽，模具槽内镶有模具。本实用新型的有益效果本实用新型克服了传统圆坩埚的缺陷，构建了均勻的径向温度梯度，适用于导模 法定形生长大尺寸(例如400mm长*110mm宽*3mm厚)的蓝宝石单晶片。
图1为本实用新型的结构示意图，其中，图(a)为主视图，图(b)为俯视图。
具体实施方式
参见图1，一种用于生长蓝宝石单晶片的异形钼坩埚，包括有碟形钼坩埚1，碟形 钼坩埚1的中部有模具槽2，模具槽2内镶有模具。碟形钼坩埚1选用纯度为99. 99%的金属钼做为材料。
权利要求一种用于生长蓝宝石单晶片的异形钼坩埚，包括有碟形钼坩埚，其特征在于所述碟形钼坩埚的中部有模具槽，模具槽内镶有模具。
专利摘要本实用新型公开了一种用于生长蓝宝石单晶片的异形钼坩埚，包括有碟形钼坩埚，其特征在于碟形钼坩埚的中部有模具槽，模具槽内镶有模具。本实用新型克服了传统圆坩埚的缺陷，构建了均匀的径向温度梯度，适用于导模法定形生长大尺寸的蓝宝石单晶片。
文档编号C30B35/00GK201553806SQ20092018079
公开日2010年8月18日 申请日期2009年11月27日 优先权日2009年11月27日
发明者周杰, 张业风, 梁志安, 罗平 申请人:鸿福晶体科技(安徽)有限公司