一种太阳能锗单晶生长用悬浮坩埚支架的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及悬浮坩祸技术领域，具体涉及一种太阳能锗单晶生长用悬浮坩祸支架。
【背景技术】
[0002]目前的悬浮坩祸采用的支架为固定支架，固定支架上部悬挂于大祸之上，下部将悬浮祸套在其中以稳定悬浮坩祸。固定支架能够很好地稳定悬浮坩祸的位置，但是由于在实际拉晶的过程中，随着锗溶液液面的下降，悬浮坩祸随之下降，而固定支架位置不变，这样存在两点问题:一是随着液面下降，悬浮坩祸有可能脱离支架，二是破坏炉内系统的热场平衡，导致单晶出现位错。
【发明内容】
[0003]发明目的:针对现有技术的不足，本实用新型提供一种太阳能锗单晶生长用悬浮坩祸支架，能够控制悬浮坩祸内的锗熔体深度及悬浮坩祸内的热场平衡。
[0004]技术方案:本实用新型所述的太阳能锗单晶生长用悬浮坩祸支架，所述支架本体呈环形凹槽结构，所述支架本体设于悬浮坩祸上部、通过凹槽卡紧悬浮坩祸的上沿，所述环形凹槽外围突出若干个卡位结构与大祸接触以保持稳定。支架本体通过凹槽与悬浮坩祸相连，通过卡位结构与大祸保持接触以保持相对位置稳定，即起到了稳定悬浮坩祸的作用，又能够控制悬浮坩祸内的锗熔体深度及悬浮坩祸内的热场平衡。
[0005]进一步完善上述技术方案，所述支架本体的环形凹槽结构包括外围壁、形成在外围壁内的凹槽以及凹槽中心的中空圆。
[0006]进一步地，所述外围壁内径为370mm、外径为380mm、高度为8mm，所述凹槽高度为4mm，所述中空圆直径为330mm。
[0007]进一步地，所述卡位机构为四个，均匀设置在所述环形凹槽外围。
[0008]进一步地，所述卡位机构包括与所述支架本体相连的矩形块以及与矩形块相连的半圆块。
[0009]进一步地，所述矩形块与所述支架本体连接处呈弧面，弧面半径为10mm。
[0010]进一步地，所述半圆块的半径为25mm。
[0011]有益效果:与现有技术相比，本实用新型的优点:通过本实用新型，支架本体与悬浮坩祸上沿直接相连后，实际上成为悬浮坩祸的配重装置，通过控制支架本体的重量，在设计热场时可以更加自由地设计悬浮坩祸的熔体深度和界面形状，拉出零位错锗单晶的成功率也大大提高;支架本体和悬浮坩祸直接相连后，拉晶过程中随着液面的下降，支架本体随着悬浮坩祸一起下降，这样可以保证悬浮坩祸内的热场在拉晶全程几乎都能保持稳定和平衡，可以使单晶拉的更长，合格部分更长(由以前的1cm至现在的60cm)o
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型的结构不意图；
[0013]图2为本实用新型沿图1中AOB向的结构示意图。
[0014]图3为本实用新型与大祸、悬浮坩祸的连接示意图。
【具体实施方式】
[0015]下面通过附图对本实用新型技术方案进行详细说明。
[0016]实施例1:如图1、2所示的太阳能锗单晶生长用悬浮坩祸支架，包括支架本体I，支架本体I呈环形凹槽结构，支架本体I的环形凹槽结构包括外围壁2、形成在外围壁内的凹槽I以及凹槽中心的中空圆5;外围壁2的内径为370mm、外径为380mm、高度为8mm，凹槽I的高度为4mm，中空圆5直径为330_。卡位机构包括与支架本体相连的矩形块3以及与矩形块3相连的半圆块4，矩形块3与支架本体连接处呈弧面，弧面半径为1mm，半圆块4的半径为25_。
[0017]如图3所示，支架本体I设于悬浮坩祸2上部、通过凹槽卡紧悬浮坩祸2的上沿，环形凹槽外围均匀突出四个卡位结构与大祸3固定以保持相对位置固定。太阳能锗单晶的生长条件极其苛刻，通过设置支架本体I，在拉晶的过程中，随着锗溶液液面的下降，支架本体I和悬浮坩祸2—起降低，不存在脱离的风险，控制了悬浮坩祸2内的锗熔体深度，保证了单晶拉制过程中热场的稳定。
[0018]如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型，但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。
【主权项】
1.一种太阳能锗单晶生长用悬浮坩祸支架，包括支架本体，其特征在于:所述支架本体呈环形凹槽结构，所述支架本体设于悬浮坩祸上部、通过凹槽卡紧悬浮坩祸的上沿，所述环形凹槽外围突出若干个卡位结构与大祸接触以保持稳定。2.根据权利要求1所述的太阳能锗单晶生长用悬浮坩祸支架，其特征在于:所述支架本体的环形凹槽结构包括外围壁、形成在外围壁内的凹槽以及凹槽中心的中空圆。3.根据权利要求2所述的太阳能锗单晶生长用悬浮坩祸支架，其特征在于:所述外围壁内径为370mm、外径为380mm、高度为8mm，所述凹槽高度为4mm，所述中空圆直径为330mm。4.根据权利要求1所述的太阳能锗单晶生长用悬浮坩祸支架，其特征在于:所述卡位机构为四个，均匀设置在所述环形凹槽外围。5.根据权利要求4所述的太阳能锗单晶生长用悬浮坩祸支架，其特征在于:所述卡位机构包括与所述支架本体相连的矩形块以及与矩形块相连的半圆块。6.根据权利要求5所述的太阳能锗单晶生长用悬浮坩祸支架，其特征在于:所述矩形块与所述支架本体连接处呈弧面，弧面半径为10mm。7.根据权利要求5所述的太阳能锗单晶生长用悬浮坩祸支架，其特征在于:所述半圆块的半径为25mm。
【专利摘要】本实用新型公开了一种太阳能锗单晶生长用悬浮坩埚支架，包括支架本体，所述支架本体呈环形凹槽结构，所述支架本体设于悬浮坩埚上部、通过凹槽卡紧悬浮坩埚的上沿，所述环形凹槽外围突出若干个卡位结构与大埚接触以保持稳定；所述支架本体的环形凹槽结构包括外围壁、形成在外围壁内的凹槽以及凹槽中心的中空圆。本实用新型提供的支架本体与悬浮坩埚直接相连后，实际上成为悬浮坩埚的配重装置，通过控制支架本体的重量，在设计热场时可以更加自由地设计悬浮坩埚的熔体深度和界面形状，拉出零位错锗单晶的成功率也大大提高。
【IPC分类】C30B15/10, C30B29/08
【公开号】CN205171016
【申请号】CN201520949982
【发明人】陆海凤, 柯尊斌, 秦瑶, 席珍强
【申请人】中锗科技有限公司, 南京中锗科技有限责任公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年11月25日