一种用于铸造准单晶的异形坩埚的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及一种异形相蜗，用于准单晶铸锭，改善产品质量，属于光伏、新能 源领域。
【背景技术】
[0002] 随着环境污染和资源短缺问题的日益严峻，需要积极寻求一种替代能源，太阳能 电池作为一种对环境友好的新型能源器件受到大家的青睐。太阳能电池片作为影响太阳能 电池效率的重要因素，如何提高电池片的质量和效率成为国内外光伏厂家的研究重点。近 年来，在多晶铸锭的基础上逐渐成长的准单晶铸锭技术，使用一整块单晶块作为巧晶，运有 别于传统多晶铸锭技术使用粒料巧晶，生产的娃片的效率介于多晶和单晶之间。
[0003] 但是传统相蜗因为边缘侧壁导致斜向晶，使得准单晶的得率很低，降低了娃片的 效率，增加了铸锭成本。 【实用新型内容】
[0004] 本实用新型所要解决的技术问题是针对W上弊端提供一种用于铸造准单晶的异 形相蜗，准单晶的得率更高，与现有G6传统相蜗的准单晶娃片相比，提高准单晶得率12~ 15〇/〇。
[0005] 为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：
[0006] -种用于铸造准单晶的异形相蜗，包括相蜗主体，所述相蜗主体为上大下小的梯 形体结构。
[0007] 上述一种用于铸造准单晶的异形相蜗，其中，所述相蜗主体包括底板和四块侧板， 所述侧板为梯形结构，侧板顶边的长度11>侧板底边的长度L2,四块侧板分别倾斜的固定 在底板的四周，侧板与底板之间的倾斜角度为a，90°<a<180°。
[000引本实用新型的有益效果为：
[0009] 本实用新型相蜗采用上大下小的梯形设计，相蜗侧板的倾斜角度在90~180°，同样 装料量的情况下，节约巧晶的用量；
[0010] 相蜗开口采用上大下小设计，巧晶引晶后，有利于形核点随固液界面更好的生长， 减少了传统相蜗因边缘侧壁导致斜向晶，提高了准单晶的得率；
[0011] 相蜗侧板的斜向晶更容易去除，提高了电池效率，但是工序更简单易行、成本更低 廉。
【附图说明】
[0012] 图1为本实用新型剖视图。
[0013] 图2为本实用新型侧板结构图。
[0014] 图3为本实用新型底板剖视图。
【具体实施方式】 [001引实施例一
[0016]如图所示一种用于铸造准单晶的异形相蜗，包括相蜗主体1，相蜗主体W石英为材 料制成，所述相蜗主体1为上大下小的梯形体结构，所述相蜗主体1包括底板2和四块侧板3， 所述底板2为正方形结构，所述侧板3为等腰梯形结构，侧板3顶边的长度Ll>侧板底边的长 度L2,四块侧板3分别倾斜的固定在底板2的四周，侧板3与底板2之间的倾斜角度a为135% 所述侧板和底板固定成一体式结构。
[0017]实施例二
[0018] 如图所示一种用于铸造准单晶的异形相蜗，包括相蜗主体1，相蜗主体W石英为材 料制成，所述相蜗主体1为上大下小的梯形体结构，所述相蜗主体1包括底板2和四块侧板3， 所述底板2为正方形结构，所述侧板3为等腰梯形结构，侧板3顶边的长度Ll>侧板底边的长 度L2,四块侧板3分别倾斜的固定在底板2的四周，侧板3与底板2之间的倾斜角度a为140% 所述侧板和底板固定成一体式结构。
[0019] 作为进一步的优化，所述底板2上设有吸热腔4,所述吸热腔4内填充有吸热棉5,吸 热棉可W充分吸收相蜗内的余热，减慢相蜗降溫的过程，进一步提高了存活率。
[0020] 现使用实施例一、实施例二的异形相蜗与传统G6相蜗进行长晶，经对比，S者单晶 存活率如下：
10022]由上表可W得出，实用本专利的异形相蜗铸造准单晶，由于侧板是倾斜设置的，其 存活率大幅增加，且当倾斜角度为135°与140°运一倾斜角度时，最能贴合准单晶生长所需， 在运角度所能达到的存活率明显优于其他相蜗。
[0023]运里本实用新型的描述和应用是说明性的，并非想将本实用新型的范围限制在上 述实施例中，因此，本实用新型不受本实施例的限制，任何采用等效替换取得的技术方案均 在本实用新型保护的范围内。
【主权项】
1. 一种用于铸造准单晶的异形坩埚，包括坩埚主体，其特征为，所述坩埚主体为上大下 小的梯形体结构。2. 如权利要求1所述的一种用于铸造准单晶的异形坩埚，其特征为，所述坩埚主体包括 底板和四块侧板，所述侧板为梯形结构，侧板顶边的长度L1 >侧板底边的长度L2，四块侧板 分别倾斜的固定在底板的四周，侧板与底板之间的倾斜角度为a，90° <a<180°。
【专利摘要】本实用新型涉及一种用于铸造准单晶的异形坩埚，包括坩埚主体，所述坩埚主体为上大下小的梯形体结构，所述坩埚主体包括底板和四块侧板，所述侧板为梯形结构，侧板顶边的长度L1＞侧板底边的长度L2，四块侧板分别倾斜的固定在底板的四周，侧板与底板之间的倾斜角度为a，90°＜a＜180°，准单晶的得率更高，与现有G6传统坩埚的准单晶硅片相比，提高准单晶得率12~15%。
【IPC分类】C30B28/06, C30B29/06, C30B11/00
【公开号】CN205258659
【申请号】CN201520989167
【发明人】马翔宇, 王海庆, 王禄宝, 吴明山
【申请人】江苏美科硅能源有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年12月3日