Vgf锗单晶生长炉支撑底座的制作方法
【专利摘要】VGF锗单晶生长炉支撑底座，涉及一种底座，尤其是一种VGF锗单晶生长炉支撑底座。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，其特征在于该装置由横杆、底板、活动块、散热孔和细圆棒构成；底板通过内六角螺栓固定在两根横杆之间，活动块拼接在底板侧面，底板与活动块相对的一侧都具有一个半圆孔，两者通过外六角螺栓连接构成一个圆孔，底板中间设置散热孔，两根细圆棒通过U型卡槽固定在散热孔的两侧。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，在保证能平稳、牢固地支撑炉芯、石英管及炉套的情况下，也能固定好石英棒与测温热电偶，且安装方便，使用简单，稳固性好，散热性好，实用性高，适合用在不同尺寸的VGF炉中。
【专利说明】
VGF锗单晶生长炉支撑底座
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种底座，尤其是一种VGF锗单晶生长炉支撑底座。
【背景技术】
[0002]VGF法(垂直梯度凝固法)由于生长单晶时温度梯度较低，生长速率较小，目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。在VGF法生长晶体工艺过程中，备炉是一个很重要的阶段，在该阶段中，需要将做好的炉芯、石英管(支撑管)及炉套重叠起来，然后从炉体的下方放入炉内，下端置于底座上。其中，炉芯主要是用来放置测温热电偶、散热以及进行籽晶熔接;炉套主要用来保温;石英管主要用来支撑装有Ge(GaAs、InP)料的异型管。
[0003]目前用VGF法生长晶体时，采用的底座容易使石英管发生位移或倾斜，会直接影响到晶体的质量，而且插入炉芯底端的石英棒与底座的散热性也会影响籽晶的熔接程度，进而影响到晶体生长的质量。另外，怎么固定好炉体下方石英棒与测温热电偶也是一个普遍存在的冋题。
【发明内容】
[0004]本实用新型针对石英管容易发生位移或倾斜，散热性差，无法固定好炉体下方石英棒与测温热电偶的问题，提供一种VGF锗单晶生长炉支撑底座。
[0005]本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，其特征在于该装置由横杆、底板、活动块、散热孔和细圆棒构成;底板通过内六角螺栓固定在两根横杆之间，活动块拼接在底板侧面，底板与活动块相对的一侧都具有一个半圆孔，两者通过外六角螺栓连接构成一个圆孔，底板中间设置散热孔，两根细圆棒通过U型卡槽固定在散热孔的两侧。
[0006]所述的横杆、底板、活动块及细圆棒的上表面保持在同一水平面。
[0007]所述的内六角螺栓的下方有一排十字螺栓。
[0008]本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，在保证能平稳、牢固地支撑炉芯、石英管及炉套的情况下，也能固定好石英棒与测温热电偶，且安装方便，使用简单，稳固性好，散热性好，实用性高，适合用在不同尺寸的VGF炉中。
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型底座结构的俯视图；
[0010]图2是本实用新型底座结构的正视图；
[0011]图3是本实用新型底座结构的侧视图。
[0012]图中，横杆1、底板2、散热孔3、细圆棒4、U型卡槽5、活动块6、圆孔7、外六角螺栓8、内六角螺栓9、十字螺栓1。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。
[0014]实施例1: VGF锗单晶生长炉支撑底座由横杆1、底板2、活动块6、散热孔3及细圆棒4构成;横杆1、底板2及活动块6都为长方形，横杆1、底板2、活动块6及细圆棒4的上表面保持在同一水平面，以使底座平稳放置，底板2通过内六角螺栓9固定在两根横杆I之间，活动块6拼接在底板2上，底板2与活动块6相对的一侧都具有一个半圆孔，通过外六角螺栓8连接将两个半圆孔构成一个圆孔7，底板2中间设置散热孔3，散热孔3为圆角矩形，两根细圆棒4通过U型卡槽5固定在散热孔3的两侧，两根细圆棒4之间的距离为3cm。
[0015]备炉时，通过圆孔7把底座固定在炉体下方的活动圆杆上，然后转动手柄将炉体摇成45°倾斜，把做好的炉芯、石英管及炉套重叠在一起，从炉体的下方放入炉内，用一只手托住，另一只手转动手柄，等炉体成90°垂直后慢慢将炉芯、石英管及炉套置于底座上，该步骤中，炉芯下端的测温热电偶需从两根细圆棒4的中间穿过。根据装炉的尺寸，摇动活动圆杆的手柄，将底座摇至相应的位置，然后从具有散热作用的散热孔3孔中插入石英棒与测温热电偶，并利用十字螺栓10固定起来。
[0016]以上仅为本实用新型的一种实施方式，只要使用了以上所述的结构，均应落入本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.VGF锗单晶生长炉支撑底座，其特征在于该底座由横杆(I)、底板(2)、活动块(6 )、散热孔(3)和细圆棒(4)构成；底板(2)通过内六角螺栓(9)固定在两根横杆(I)之间，活动块(6)拼接在底板(2)侧面，底板(2)与活动块(6)相对的一侧都具有一个半圆孔，两者通过外六角螺栓(8)连接构成一个圆孔(7)，底板(2)中间设置散热孔(3)，两根细圆棒(4)通过U型卡槽(5 )固定在散热孔(3 )的两侧。2.根据权利要求1所述的VGF锗单晶生长炉支撑底座，其特征在于所述的横杆(1)、底板(2)、活动块(6)及细圆棒(4)的上表面保持在同一水平面。3.根据权利要求1所述的VGF锗单晶生长炉支撑底座，其特征在于所述的内六角螺栓(9)的下方有一排十字螺栓(10)。
【文档编号】C30B29/08GK205688056SQ201620518771
【公开日】2016年11月16日
【申请日】2016年6月1日 公开号201620518771.4, CN 201620518771, CN 205688056 U, CN 205688056U, CN-U-205688056, CN201620518771, CN201620518771.4, CN205688056 U, CN205688056U
【发明人】肖祥江, 董汝昆, 李武芳, 祝永成, 何永彬, 高云浩, 金之生, 杨小瑞, 权忠朝
【申请人】云南中科鑫圆晶体材料有限公司, 昆明云锗高新技术有限公司, 云南鑫耀半导体材料有限公司