技术编号:8128919
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种在坩埚内部掺入单质粉末以消除含氧杂质,实现在非真空条件下生长CsI(Tl)晶体的新方法,属于晶体生长技术领域。背景技术 碘化铯晶体有Tl激活、Na激活和纯碘化铯三种,其化学式分别为CsI(Tl)、CsI(Na)和CsI,它们均为立方结构的晶体。CsI(Tl)晶体是过去几时年中被公认的杰出闪烁晶体之一。由于其输出达到NaI(Tl)的85%,在空气中不潮解,光谱分布从蓝光到红光区,发光主峰为550nm,能与硅光电二极管很好地匹配,从而使读出系统大为简化。对射线的吸收系数大以及价格便宜等优点而一直被...
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