技术编号:8138397
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种硅单质的生产方法及生产设备,更具体来说,本发明涉及一种利 用熔融单质硅使气态硅化合物原料发生还原反应而生产硅单质(包括多晶硅和单晶硅)的 硅单质的生产方法和生产设备。 背景技术目前,绝大多数的硅单质(尤其是多晶硅)的生产方法是改良西门子工艺,主要使 用钟罩型反应器和与电极相连的8mm左右的硅芯作为沉积基底,采用高温还原工艺,通过 高纯的气态硅化合物原料(比如SiHCl3)在H2气氛中还原沉积(化学气相沉积)而生成多晶娃。上述化学气相沉积过程是在钟罩型的还原炉中进行的,该反应容器是密封 的,底盘...
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