技术编号：8140626
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和通过该制造方法制造的多晶娃。本申请基于2009年7月15日申请的日本专利申请第2009-167185号要求优先权， 并在这里引用其内容。背景技术作为多晶硅的制造方法，已知有根据西门子法的制造方法。在该多晶硅的制造方 法中，在反应炉内竖立设置许多成为晶种棒的硅芯棒并预先进行通电加热，对该反应炉供 给包含氯硅烷(chlorosilane)气体和氢气的原料气体，使原料气体和加热后的硅芯棒接 触。在加热后的硅芯棒的表面，通过原料气体的热分解或氢还原而析出多晶硅，生长为...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。