技术编号:8141107
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及晶体加工领域特别是涉及一种铌酸锂单晶体的室温腐蚀剂及其用途。腐蚀对于铌酸锂晶体来说至关重要,它不仅能区分晶体的极性(正、负面),而且能判断晶体的极化程度,还能显示表面加工的质量。通常用1份HF和2份HNO3混合液在沸点(近110℃)腐蚀经抛光的铌酸锂晶片,(1965年 Applied Physics Letters.P.229)通过观察正负畴图形来检验极化程度。但是该腐蚀液在室温的腐蚀速率相当缓慢,经24小时腐蚀,LN片子上只能观察到表面加工的划痕,要加快腐蚀速度,必须提高温度。加热易导致晶体开裂...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。